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不揮発性RAMコントローラ

製品の詳細

主な特長

Parametric specs for Battery Backup Circuits
Reset Thresh. (V) 3.3 to 5.5
Reset Out No
ICC (µA) (max) 500
Oper. Temp. (°C) -55 to +125
-40 to +85
0 to +70
Package/Pins PDIP/8
SOIC (N)/8
SOIC (W)/16
Budgetary
Price (See Notes)
3.86
Parametric specs for Non-Volatile RAM Controllers
CE Cntrl. Yes
Smart Socket w/Int. Batt. No
Li Batt. Monitor No
Pwr. Fail Out No
RAMs Controlled 1
VSUPPLY (V) 5
Package/Pins PDIP/8
SOIC (N)/8
SOIC (W)/16
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簡易ブロック図

Technical Docs

データシート 不揮発性RAMコントローラ Mar 01, 1996

サポートとトレーニング

技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。

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マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。

パラメーター

Parametric specs for Battery Backup Circuits
Reset Thresh. (V) 3.3 to 5.5
Reset Out No
ICC (µA) (max) 500
Oper. Temp. (°C) -55 to +125
-40 to +85
0 to +70
Package/Pins PDIP/8
SOIC (N)/8
SOIC (W)/16
Budgetary
Price (See Notes)
3.86
Parametric specs for Non-Volatile RAM Controllers
CE Cntrl. Yes
Smart Socket w/Int. Batt. No
Li Batt. Monitor No
Pwr. Fail Out No
RAMs Controlled 1
VSUPPLY (V) 5
Package/Pins PDIP/8
SOIC (N)/8
SOIC (W)/16

主な特長

  • バッテリバックアップ
  • メモリ書込み保護
  • 動作モード時の自己消費電流:230µA
  • バックアップモード時の自己消費電流:2nA
  • バッテリフレッシュネスシール
  • 冗長バッテリ(オプション)
  • VCC電源スイッチの低順方向電圧ドロップ
  • パワーフェイル検出オプション:5%または10%
  • パワーアップ時のバッテリ状態をテスト
  • 8ピンSO入手可能

アプリケーション/用途

  • µP制御システム
  • コンピュータ:デスクトップ、ワークステーション、サーバ
  • 組込みシステム

説明

不揮発性RAMコントローラMXD1210は超低電力CMOS回路であり、標準(揮発性) CMOS RAMを不揮発性メモリに変換します。この製品は常に電源を監視し、RAMへの供給電力が許容範囲外になった場合にRAMに対する書込み保護を提供します。電源が低下し始めるとRAMは書込み保護され、このデバイスはバッテリバックアップモードに切り替わります。

簡易ブロック図

MXD1210:標準動作回路 MXD1210:標準動作回路 Zoom icon

Technical Docs

データシート 不揮発性RAMコントローラ Mar 01, 1996

サポートとトレーニング

技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。

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