高精度、可変パワーリミッタ

 

型番	Replacement	Explanation

説明

EE-Sim^®を使って設計とシミュレーションを行う:

調整可能な過電圧、低電圧、および過電流保護デバイスのMAX17525は、正過電圧および逆電圧フォルトに加え、過電流フォルトからもシステムを保護します。オプションの外付けpMOSFETと共に使用すると、このデバイスは下流回路も最大±60Vの電圧フォルトから保護します(外付けpFETの定格が-60Vの場合)。このデバイスは、31mΩの低オン抵抗のFETを内蔵しています。

起動時、このデバイスは、下流デバイスへの入力に大型蓄積コンデンサが使用されたアプリケーションで、出力の大型コンデンサを連続モードで充電するように設計されています。また、このデバイスは2段構成の電流制限モードを特長としており、起動後短時間の間、電流はそれぞれ、設定された制限の1倍、1.5倍、および2倍に連続的に制限されます。これによって、起動時の大きな負荷へのより高速な充電が可能となります。

MAX17525は、逆電流および過熱保護も備えています。このデバイスは20ピンTQFNパッケージ(5mm x 5mm)で提供され、-40℃～125℃の温度範囲で動作します。

MAX17525：ファンクションダイアグラム 拡大表示+

主な特長

• 堅牢な、大電力保護によってシステムのダウンタイムを削減
  • 広い入力電源範囲：+5.5V～+60V
  • 可変入力電源過電圧設定：40V (max)
  • 外付けpFET使用時の負入力耐性：-60V (外付けpFETの定格が-(60 + V_OUT)の場合)
  • 低R_ON：31mΩ (typ)
  • 外付けpFET使用時の逆電流ブロック保護
• 高速起動および電圧低下回復を実現
  • サーマルフォールドバック電流制限保護
  • 起動時電流制限オプション：1.5倍、2倍
• 柔軟な設計によって再使用が可能で再認定を低減
  • 可変OVLOおよびUVLOスレッショルド
  • 設定可能な順方向電流制限：0.6A～6A、精度±15% (全温度範囲)
  • 標準および高電圧のイネーブル入力(ENおよびアクティブローのHVEN)
  • 外付けpFETゲートドライブ保護
• 基板スペースを節約し外付けBOM数を低減
  • 20ピンTQFNパッケージ(5mm x 5mm)
  • nFET内蔵

アプリケーション/用途

• 制御およびオートメーション
• ハイパワーアプリケーション
• ヒューマンマシンインタフェース
• 産業用電源システム
• モーションシステムドライブ