MAX16545B

12Vバス上の集積型保護IC、MOSFET、無損失電流検出、およびPMBusインタフェース内蔵

業界初の60A保護IC、MOSFET内蔵


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説明

MAX16545B/Cはサーキットブレーカ保護ICで、低抵抗MOSFETおよび無損失電流検出回路を内蔵し、PMBus/SMBus制御および報告を備えています。このICは、システムの12V電源の配電、制御、監視、および保護のための最適なソリューションを提供するように設計されています。内蔵LDOは、保護ICのバイアス電源電圧を提供します。

フォルトが検出されない場合、MAX16545B/Cは起動を開始します。このデバイスは、制御された、単調な起動を提供するように設計されています。起動時の突入電流を制限するために、設定可能なソフトスタート立上りおよび遅延が実装されています。MAX16545Bは16Aの起動時OCPに設定され、MAX16545Cは24Aの起動時OCPに設定されています。

このICは12Vシステム電源レールの電流および電圧を監視し、フォルトが検出された場合の高速ターンオフを備えた複数レベルの保護を提供します。3つの方式の過電流保護が提供されます。設定可能な軽度OCPレベルは、限られた時間のサージ電流を許容します。ユーザー選択可能な重度OCPレベルは、重度OCPスレッショルドを上回る電流が検出された場合に高速切断を提供します。追加の固定高シャットダウンOCPレベルは瞬時の切断を提供し、デバイスをさらに保護します。

無損失電流検出は負荷および温度にわたって高精度の電流検出を提供し、全体的なシステムのエネルギー効率を高め、消費電力を低減します。アナログ出力を介して負荷電流に比例する信号が報告され、SMBus/PMBusを介して包括的な報告が提供されます。

出力電圧は常時監視されます。任意の時点で出力電圧が設定可能な出力低電圧ロックアウトスレッショルドを下回ると、PWRGD信号がローにアサートされます。任意の時点で入力電圧が設定可能な入力低電圧ロックアウトスレッショルドを下回ると、PWRGD信号がローにアサートされます。MAX16545B/Cは入力過電圧保護を提供するようにPMBusを介して設定可能です。入力過電圧保護はデフォルトでディセーブルされています。PMBusを介してイネーブルされた場合、入力電圧が設定可能な過電圧スレッショルドを上回ると、MOSFETがラッチオフされフォルトが通知されます。

このICは、+12V電源からシステムへの電力を配電および制御するために使用されます。データシートの「Basic Application Circuit (基本アプリケーション回路)」を参照してください。

MAX16545B、MAX16545C:基本アプリケーション回路 MAX16545B、MAX16545C:基本アプリケーション回路 拡大表示+

主な特長

  • 高密度:6.5mm × 4mm (60A、従来のソリューションの基板面積の25%以下)
    • 電力、制御、および監視をモノリシック集積:パワーMOSFET内蔵、12V電源経路の総抵抗(RDSON):0.95mΩ (パッケージを含む)
    • 無損失、高精度電流検出内蔵
    • 内蔵LDOによってVDD電源を供給(1.8Vバイアス電源)
  • 高度なシステムパワーマネージメントを実現
    • 包括的な状態監視および報告を備えたPMBus/SMBusテレメトリ
    • 負荷電流インジケータ(ILOAD)端子によって高精度のアナログ出力電流報告を提供
    • 設定可能なソフトスタートによる突入電流制限
    • ICの自己保護機能によって電源の信頼性を向上
      • 超高速フォルト検出および絶縁
      • 起動時のVIN-VOUT短絡保護
      • 過熱保護
    • 3レベルの過電流保護
      • 設定可能な軽度OCP
      • 設定可能な重度OCP:5μs以内に絶縁を提供
      • フェイルセーフ安全OCP:250ns以内に絶縁を提供

アプリケーション/用途

  • 12Vの集積型保護IC:サーキットブレーカ、活線挿抜、突入電流制御
  • サーバー、ネットワーク、ストレージ、通信機器およびAC/DC電源

MAX16545BEVKIT120: MAX16545BおよびMAX16543の評価キット
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  • 高密度:75%以上の基板面積節約を提供する業界最小のサーキットブレーカソリューション
  • 無損失、高精度の総システム電流検出および報告

MAX16545B
12Vバス上の集積型保護IC、MOSFET、無損失電流検出、およびPMBusインタフェース内蔵

  • 高密度:6.5mm × 4mm (60A、従来のソリューションの基板面積の25%以下)
  • 高度なシステムパワーマネージメントを実現

MAX16545C
12Vバス上の集積型保護IC、MOSFET、無損失電流検出、およびPMBusインタフェース内蔵

  • 高密度:6.5mm × 4mm (60A、従来のソリューションの基板面積の25%以下)
  • 高度なシステムパワーマネージメントを実現

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評価ボード10297MAX16545BEVKIT120 MAX16545BおよびMAX16543の評価キット