2.7V～18V、6.6A高集積ホットスワップ/電子サーキットブレーカ

説明

EE-Sim^®を使って設計とシミュレーションを行う:

MAX15095デバイスファミリは、通電中のバックプレーンから回路ラインカードを安全に挿抜する必要があるホットスワップアプリケーション向けの高集積ソリューションです。これらのデバイスは、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ、およびファン用の電子サーキットブレーカとして使用することもできます。これらのデバイスは、ホットスワップコントローラ、10.6mΩ (typ)パワーMOSFET、および電子サーキットブレーカ保護を1つのパッケージに集積しています。

これらのデバイスは、2.7V～18Vの電源電圧の保護用に設計されています。これらのデバイスは、スタートアップ時に突入電流を抑えてdi/dtを引き下げ、安全動作領域(SOA)の状態でのMOSFET動作を維持するフォールドバック電流制限を実装しています。スタートアップサイクルが完了した後、内部コンパレータが短絡や過電流障害からのVariableSpeed/BiLevel^™保護とシステムノイズや負荷トランジェントに対する耐性を提供します。障害状態が発生した場合、負荷は切断されます。これらのデバイスは出荷時に較正され、精度±10%の高精度な過電流保護を実現します。障害状態時には、PGがローになってデバイスがラッチオフするか(MAX15095)または自動再試行します(MAX15095A)。障害発生後に出力を放電することも可能です(MAX15095D)。

これらデバイスは、スタートアップ前のIN-OUT短絡検出を特長としています。また、外付けコンデンサを追加することによってスタートアップ時のスルーレートを設定することができるパワーMOSFET GATE端子を利用可能です。これらのデバイスは、低電圧/過電圧障害を検出してINをOUTから切断することができる低電圧/過電圧入力端子(UVOV)を備えています。その他の特長には、内部過熱保護およびパワーグッド出力(PG)などがあります。

これらのデバイスは12ピンFC2QFNパッケージ(2.5mm × 2.5mm)で提供され、-40℃～+105℃の拡張温度範囲での動作が保証されています。

主な特長

• 高集積によって、ブレードサーバやその他のスペースが制約された設計用のリューションサイズを削減
  • 内蔵パワーMOSFET：10.6mΩ (typ)
  • 設定可能な過電圧保護および低電圧ロックアウトスレッショルド
  • ドライブプレゼンス信号入力(アクティブローPRSNT端子)
  • 過熱保護
• 高い柔軟性によって多くの独自設計に使用可能
  • 動作電圧範囲：2.7V～18V
  • 設定可能な突入電流制御によるSOA動作
  • 調整可能なサーキットブレーカ電流/電流制限スレッショルド
  • 設定可能なスルーレート制御
  • 可変速度サーキットブレーカ応答
  • ラッチオフ(MAX15095)または自動再試行(MAX15095A)オプション
• 安全性機能によって高精度、堅牢な保護を確保
  • 負荷電流能力：6.6A (max)
  • サーキットブレーカスレッショルド精度：±10%
  • IN-OUT間の短絡検出
  • オープンドレインPG出力
  • 障害発生後の出力放電(MAX15095Dのみ)
  • 高速コンパレータ応答時間に対する設定可能な追加の遅延：2µs (max)
  • イネーブル入力(EN)

アプリケーション/用途

• ブレードサーバ
• ディスクドライブ電源
• 産業用アプリケーション
• RAIDシステム
• サーバI/Oカード
• ストレージアプリケーション