MAX15019

125V/3A、高速、ハーフブリッジMOSFETドライバ

+70℃の周囲温度で最大1.9Wの消費電力を処理可能な放熱特性に優れた8ピンSOパッケージ


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説明

高周波、125Vハーフブリッジ、nチャネルMOSFETドライバのMAX15018A/MAX15018B/MAX15019A/MAX15019Bは、高電圧アプリケーションにおけるハイ/ローサイドMOSFETを駆動します。これらのドライバは個別に制御され、入力から出力への35ns (typ)の伝搬遅延は、2ns (typ)以内にマッチングされています。ドライバ間で伝搬遅延が非常に小さくマッチングされた高電圧動作、および放熱特性に優れたパッケージ内の高いソース/シンク電流能力によって、これらのデバイスは大電力、高周波のテレコム用電源コンバータに最適です。125Vの最大入力電圧は、テレコム規格の100Vの入力過渡要件よりも大幅な余裕を提供します。信頼性の高い内蔵ブートストラップダイオードがVDDとBSTの間に接続されているため、外付けディスクリートダイオードは不要です。

MAX15018A/MAX15019Aはともに、非反転ドライバを提供します。MAX15018B/MAX15019Bは、非反転ハイサイドドライバおよび反転ローサイドドライバを提供します(フルデータシートの「Selector Guide (選択ガイド)」を参照)。MAX15018_は、CMOS (VDD/2)ロジック入力を備えています。MAX15019_は、TTLロジック入力を備えています。各ドライバは、放熱特性に優れた8ピンSOパッケージによる業界標準の8ピンSOのサイズとピン配置で提供されます。各デバイスは、-40℃~+125℃の自動車用温度範囲で動作します。
MAX15018、MAX15019:標準動作回路 MAX15018、MAX15019:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • HIP2100IB/HIP2101IBとピンコンパチブル(MAX15018A/MAX15019A)
  • 動作VIN:最大125V
  • VDD入力電源範囲:8V~12.6V
  • ピークのソース/シンク電流:3A
  • 伝搬遅延:35ns
  • ハイサイドとローサイドのドライバ間で8ns以下の伝搬遅延マッチングを保証
  • 非反転/非反転、非反転/反転の両方のロジック入力バージョンを提供
  • ロジック入力:最大15V (VDD電源電圧とは独立)
  • 低入力容量:8pF
  • CMOS (VDD/2)またはTTLロジックレベル入力(ヒステリシス付き)で使用可能
  • 省スペース、放熱特性に優れた8ピンSO-EPパッケージで提供

アプリケーション/用途

  • ハーフブリッジ、フルブリッジ、および2スイッチフォワードコンバータ
  • モータ制御
  • 電源モジュール
  • 同期バックDC/DCコンバータ
  • テレコム電源

スペックパラメータを参照する: Full/Half-Bridge MOSFET Drivers (17)


Part NumberDriverDriverHigh Side Voltage
(V)
VSUPPLY
(V)
ISOURCE / ISINK
(A)
tPD
(ns)
Logic InputOper. Temp.
(°C)
Package/PinsBudgetary
Price
High SideLow SidetyppeaktypSee Notes
MAX15018A Non-InvertingNon-Inverting1258.0 to 12.63 / 335CMOS-40 to +125
SOIC(N)/8
$1.98 @1k
MAX15018B InvertingCMOS
SOIC(N)/8
$1.80 @1k
MAX15019A Non-InvertingTTL
SOIC(N)/8
$2.48 @1k
MAX15019B InvertingTTL
SOIC(N)/8
$1.94 @1k

価格についての注:
このページに掲載された価格は、類似製品と比較するための参考価格です。価格は米国ドルで表記されており変更されることがあります。購入数によって価格は大幅に変わることがあり、米国以外での価格は各地域の関税、税金、手数料、および為替レートによって異なることがあります。購入数やバージョンが確定されている場合の価格および在庫状況については、購入に関するページを参照いただくか正規代理店までお問い合わせください。
製品の信頼性レポート: MAX15019.pdf 
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)   Material Composition  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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