DS3514

EEPROM内蔵、I²CガンマおよびVCOMバッファ

豊富な機能セットを備えた高集積VCOMガンマバッファ


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説明

DS3514は、プログラマブルなガンマおよびVCOM電圧発生器で、内蔵EEPROMメモリ内のガンマ/VCOMデータのリアルタイム更新およびマルチバイト保存の両方をサポートします。個別のアドレス指定が可能な各ガンマまたはVCOMチャネルには、独立した10ビットDAC、2つの10ビットデータレジスタ、および4ワードのEEPROMメモリが提供されます。高性能のバッファアンプが内蔵され、レイルトゥレイル、低電力(400µA/ガンマチャネル)動作を提供します。VCOMチャネルは、広範なTFT LCDパネルのVCOMノードの駆動に最適化された大電流ドライブ(ピーク250mA以上)および高速セトリングバッファアンプが特長です。

設定は、I²C対応のシリアルインタフェースを通じて行います。インタフェースの性能と柔軟性は、チャネルごとに独立してロードされる1組のデータラッチ、およびI²Cの速度に最大400kHzまで対応することによって強化されています。マルチテーブルEEPROMメモリによって、温度または照度依存のガンマテーブルのサポート、出荷時またはフィールドでの自動ディスプレイ調整対応、およびシステム電力を削減するためのバックライト調光アルゴリズムのサポートなど、ディスプレイシステムの多種多様な機能強化を可能にします。電源投入時およびモードに応じて、DACデータは、S0/S1ピンによってEEPROMから、または固定メモリアドレスから選択されます。
DS3514:ガンマまたはVCOMチャネルのファンクションダイアグラム DS3514:ガンマまたはVCOMチャネルのファンクションダイアグラム 拡大表示+

主な特長

  • 10ビットガンマバッファ、14チャネル
  • 8ビットVCOMバッファ、1チャネル
  • チャネル当り4ワードの10ビットEEPROM
  • 低電力400µA/chガンマバッファ
  • I²C対応のシリアルインタフェース
  • I²Cまたは端子によるフレキシブルな制御
  • アナログ電源:9.0V~15.0V
  • ディジタル電源:2.7V~5.5V
  • 7mm x 7mmの48ピンTQFNパッケージ

アプリケーション/用途

  • 適応型ガンマおよびVCOM調整(I2Cによるリアルタイム、I2CまたはS0/S1ピンによるEEPROMの選択)
  • 産業用プロセス制御
  • TFT LCDガンマおよびVCOMバッファ

技術資料

アプリケーションノート 4331 Programming 10-Bit Gamma Registers on the DS3514

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS3514.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS3514T+T&R
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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    関連リソース

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    アプリケーションノート 4331 Programming 10-Bit Gamma Registers on the DS3514