DS3510

EEPROM内蔵、I²CガンマおよびVCOMバッファ

EEPROM内蔵、プログラマブル電圧ジェネレータ


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説明

DS3510は、プログラマブルガンマおよびVCOM電圧ジェネレータで、ガンマ/VCOMデータの内蔵EEPROMメモリへのリアルタイム更新およびマルチバイトストレージの両方をサポートします。個別にアドレス指定可能な各ガンマまたはVCOMチャネルは、独立した8ビットDAC、2つの8ビットデータレジスタ、および4バイトのEEPROMメモリを備えています。高性能のバッファアンプが内蔵され、レイルトゥレイル、低電力(400µA/ガンマチャネル)動作を提供します。VCOMチャネルは、広範なTFT LCDパネルのVCOMノードの駆動に最適化された大電流ドライブ(ピーク250mA以上)および高速セトリングバッファアンプを備えています。

プログラミングは、I²C対応のシリアルインタフェースを通じて行います。インタフェースの性能とフレキシビリティは、チャネルごとにロードされる1組のデータレジスタ、および最大400kHzのI²C速度によって強化されています。マルチテーブルEEPROMメモリによって、温度または光源レベル依存のガンマテーブル、出荷時またはフィールドでの自動ディスプレイ調整のイネーブル、およびシステムパワーを削減するためのバックライト調光アルゴリズムへの対応を含む、ディスプレイシステムの多種多様な機能強化を可能にします。電源投入時およびモードに応じて、DACデータは、S0/S1パッド選択によるEEPROMから、または固定メモリアドレスから選択されます。
DS3510:標準動作回路 DS3510:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • 8ビットガンマバッファ、10チャネル
  • 8ビットVCOMバッファ、1チャネル
  • 4バイトEEPROM (チャネル当り)
  • 低電力400µA/chガンマバッファ
  • I²C対応のシリアルインタフェース
  • I²Cまたは端子からのフレキシブルな制御
  • アナログ電源:9.0V~15.0V
  • ディジタル電源:2.7V~5.5V
  • 7mm x 7mmの48ピンTQFNパッケージ

アプリケーション/用途

  • 適応型ガンマおよびVCOM調整(I2Cによるリアルタイム、I2CまたはS0/S1ピンによるEEPROMの選択)
  • 産業用プロセス制御
  • TFT LCDガンマおよびVCOMバッファ

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS3510.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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