DS2786B

スタンドアロンOCVベース残量ゲージ

2線式スタンドアロン残量ゲージは学習サイクル不要で初期容量を推測または使用中に精度を維持、現在、プッシュメール機能を持つスマートフォン用に最適化


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説明

DS2786Bは、弛緩期後のオープン状態のセル電圧に基づき、充電式リチウムイオン(Li+)およびリLi+ポリマバッテリの残容量を推計します。このオープン電圧(OCV)を使って、ICに保存されたルックアップテーブルに基づき相対セル容量を判断します。この機能によって、バッテリパックの挿入直後に高精度の容量情報が得られます。中程度から高い放電レートの期間中は、OCVの測定が不可能のため、DS2786Bは相対容量推計の2次的手段としてクーロンカウントを用います。

残容量はセル電圧、電流、およびセル温度の情報とともに通知されます。これらの計算で使用されるセル特性およびアプリケーションパラメータは、内蔵EEPROMに保存されます。

DS2786Bはポータブル機器のホスト側での使用を対象としていますが、バッテリパック内に実装することもできます。測定および推計容量データには、I²Cインタフェースを通じてアクセスします。温度データは、内蔵センサから取得可能です。パック識別抵抗およびパックサーミスタの抵抗値測定は、2つの補助入力によるレシオメトリック測定によってサポートされます。

DS2786Bはエクスポーズドパッド(EP)付き、鉛フリー10ピンTDFNパッケージ(3mm x 3mm)で提供されています。
DS2786B:動作図 DS2786B:動作図 拡大表示+

主な特長

  • 相対容量は、クーロンカウンタとオープンセル電圧(OCV)バッテリモデルの組み合わせによって計算
  • 最初のサイクルでもローバッテリ状態を高精度で警告(学習サイクル不要)
  • 12ビットのバッテリ電圧測定
    • 精度:±10mV
    • 1.22mV LSB、0V~4.5Vの入力範囲
  • 11ビットの双方向電流測定
    • ダイナミックレンジ:25µV LSB、±51.2mV
    • 1.67mA LSB、±3.4A (RSNS = 15mΩ)
  • 電流積算測定の分解能
    • 範囲:±204.8mVh
    • ±13.65Ah (RSNS = 15mΩ)
  • 内部温度測定:
    • 精度:0.125℃ LSB、±3℃
  • 2種類の11ビット補助入力電圧測定
    • ±8 LSB精度、レシオメトリック入力によって電源精度の問題を解消
  • VOUT端子が抵抗分圧器を駆動し、消費電流を低減
  • 2線式インタフェース
  • 低消費電力
    • アクティブ電流:50µA (typ)、80µA (max)
    • スリープ電流:1µA (typ)、3µA (max)

アプリケーション/用途

  • 3Gマルチメディア携帯電話
  • デジタルオーディオ(MP3)プレーヤー
  • デジタルスチルカメラ
Part NumberFunctionsBattery TypeInterfaceUser Data Storage
(Bytes)
Parameters MeasuredApplicationsVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsOper. Temp.
(°C)
Budgetary
Price
minmaxSee Notes
DS2786B Fuel Gauge1 Cell Li-Ion2-Wire32 EEPROM
Current
Temperature
Voltage
Host2.54.5
TDFN/10
-40 to +85$1.99 @1k
全Battery Monitors, Protectors, and Selectors (51)
価格についての注:
このページに掲載された価格は、類似製品と比較するための参考価格です。価格は米国ドルで表記されており変更されることがあります。購入数によって価格は大幅に変わることがあり、米国以外での価格は各地域の関税、税金、手数料、および為替レートによって異なることがあります。購入数やバージョンが確定されている場合の価格および在庫状況については、購入に関するページを参照いただくか正規代理店までお問い合わせください。

技術資料

チュートリアル 4677 輸液ポンプと携帯型医療機器設計における重要な検討事項

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS2786B.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
ソフトウェア
DS2786K Evaluation Kit Software  

CAD Symbols and Footprints

  • DS2786BG+
  • DS2786BG+T&R
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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    Status:
    Package:
    Temperature:

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