超高CMTI絶縁型ゲートドライバ

 

型番	Replacement	Explanation

説明

EE-Sim^®を使って設計とシミュレーションを行う:

MAX22700～MAX22702はシングルチャネル絶縁型ゲートドライバのファミリで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。これらのデバイスは、さまざまなインバータまたはモーター制御アプリケーションでシリコンカーバイド(SiC)または窒化ガリウム(GaN)トランジスタを駆動するように設計されています。全デバイスは、マキシム独自のプロセス技術を使用したデジタルガルバニック絶縁を内蔵しています。これらのデバイスには、ゲートドライバコモン端子GNDB (MAX22700)、ミラークランプ(MAX22701)、および可変低電圧ロックアウトUVLO (MAX22702)の出力オプションを備えたバリエーションがあります。さらに、差動(Dバージョン)またはシングルエンド(Eバージョン)入力のバリエーションが提供されます。これらのデバイスは、異なる電源領域を備えた回路間でデジタル信号を転送します。ファミリの全デバイスは、3kV_RMS (60秒)の絶縁耐圧定格を備えています。

全デバイスは20nsの最小パルス幅に対応し、最大パルス幅歪みは2ns (max)です。デバイス間伝播遅延は+25℃の周囲温度で2ns (max)以内にマッチングされ、-40℃～+125℃の動作温度範囲にわたって5ns (max)にマッチングされています。この特長によってパワートランジスタのデッドタイムが削減されるため、全体的効率が向上します。

MAX22700およびMAX22702はローサイドドライバ用に1.25Ω (max)のR_DSONを備え、MAX22701はローサイドドライバ用に2.5ΩのR_DSONを備えています。全デバイスはハイサイドドライバ用に4.5Ω (max)のR_DSONを備えています。各オプションに割り当てられたサフィックスについては、フルデータシートの｢Ordering Information (型番)｣を参照してください。

MAX22700～MAX22702は、各種の出力ゲート駆動回路およびB側電源電圧を備えたSiCまたはGaN FETの駆動に使用可能です。詳細については、フルデータシートの｢Typical Operating Circuits (標準動作回路)｣を参照してください。

MAX22700～MAX22702ファミリの全デバイスは、8ピン、ナローボディSOICパッケージ(沿面および空間距離：4mm)で提供されます。パッケージ材料の比較トラッキング指数(CTI)は600V (min)で、クリーページ表のグループIに分類されます。いずれのデバイスも-40℃～+125℃の周囲温度での動作が保証されています。

デザインソリューション：Choose a High CMTI Gate Driver That Cuts Your SiC Switch Dead-Time ›

MAX22700D、MAX22700E、MAX22701D、MAX22701E、MAX22702D、MAX22702E：ファンクションダイアグラム 拡大表示+

主な特長

• マッチング伝播遅延
  • 最小パルス幅：20ns
  • 伝播遅延：35ns (室温)
  • デバイス間伝播遅延マッチング：2ns (室温)
  • デバイス間伝播遅延マッチング：5ns (-40℃～+125℃の温度範囲)
• 高CMTI：300kV/µs (typ)
• 堅牢なガルバニック絶縁
  • 絶縁耐圧(V_ISO)：3kV_RMS (60秒)
  • 連続耐圧(V_IOWM)：848V_RMS
  • サージ耐圧：±5kV (GNDAとV_SSB間、1.2/50µsの波形)
• 高精度UVLO
• オプションによって広範囲のアプリケーションに対応
  • 3つの出力オプション：GNDB、ミラークランプ、または可変UVLO
  • 2つの入力構成：イネーブルを備えたシングルエンド(Eバージョン)または差動(Dバージョン)

アプリケーション/用途

• インバータ用絶縁型ゲートドライバ
• モータードライブ
• UPSおよびPVインバータ