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主な特長
- 1.5Gbps、3.0Gbps、および6.0Gbps 18-PHY、自己構成SASエキスパンダ
- ANSI T10 SAS-2.1/SASプロトコル層(SPL)準拠
- 決定フィードバックイコライザ(DFE)内蔵、自動入力信号等化機能
- 複数のプログラマブル出力デエンファシスレベル
- 複数のプログラマブル出力電圧レベル
- ローカル制御およびエキスパンダまたはベンダー固有のエンクロージャ管理機能用、マルチコンテキストMIPS® 4KEc® 32ビットマイクロプロセッサ内蔵
- トレースバッファ内蔵
- ECC保護ユーザーデータSRAM内蔵
- 標準EJTAGプロセッサデバッグインタフェース
- 他のマキシムのエンクロージャ管理プロセッサに対応するソフトウェア
- 外付けプログラムメモリの2つの動作モード：パラレルメモリおよびシリアルペリフェラルインタフェース(SPI™)メモリ
- SPIインタフェースによって、オプションのデュアル/クワッドI/O SPIサポートを備えた外付けシリアルフラッシュメモリデバイスにアクセス
- 補助SPIポートによって、ペリフェラルSPIデバイスにアクセス(マニュアルアクセスのみ)
- 複数のチャネルにPHYスヌーピング内蔵
- フレキシブルなSAS-2準拠のアドレスベースゾーニング
- 宛先アドレスに経路設定するテーブルをサポート
- SAS-2テーブル-テーブル経路設定をサポート
- SMPおよびデュアルSSP仮想PHYターゲット/イニシエータ機能
- STP/SATAブリッジによって、複数のアフィリエーション(PHY当り1つ)をサポート
- STPイニシエータ機能
- SAS-2.1/SPL光リンクモード
- SAS-2.1/SPLパワーマネージメント
- トラステッドプラットフォームモジュール用のLPCインタフェース
- 無制限の可変ワイドポート機能
- 広範囲な診断および内蔵自己試験(BIST)機能
- マルチマスターI²Cインタフェース：I²C高速および10ビットデバイスIDサポート
- モデム制御を備えたマルチレートUART
- Reduced Media-Independent Interface (RMII)内蔵、10/100イーサネットメディアアクセスコントローラ(MAC)
- LED、ファン、タコメータ、およびその他の機能用のフレキシブルな汎用入力/出力(GPIO)
- SFF-8485シリアルI/Oサポート
- アナログ-ディジタルコンバータ(ADC)
- ディジタル温度モニタ
- 75MHzまたは150MHz LVTTL/LVPECLリファレンスクロック
- 外部電源：1.0V DC、1.8V DC、および3.3V DC
- 低電力CMOS
- ヒートスプレッダ内蔵、25mm x 25mmの492ピンFCBGAパッケージ(1.0mmピンピッチ)
- RoHS準拠パッケージ
アプリケーション/用途
- エンタープライズストレージ環境
- ファブリック接続型ストレージ(FAS)システム
- 固定コンテンツストレージシステム
- JBODアレイ
- ニアラインストレージ代替システム
- ネットワーク接続型ストレージ(NAS)システム
- RAID付きラックマウントサーバ
- ストレージエリアネットワーク(SAN)アプライアンス
説明
MAX72018Cは、1.5Gbps、3.0Gbps、および6.0Gbps (PHY単位)で動作する、次世代、強化型18-PHY、シリアル接続SCSI-2 (SAS-2)準拠エキスパンダです。このデバイスはSASポートの拡張を積極的に行う必要のあるミッドレンジおよび企業向けストレージシステム向けのサーバおよびエンクロージャアプリケーションに最適です。
このデバイスは、パラレルSCSI技術を現在採用し、SCSI中心のソフトウェアや管理ソリューションに大きく依存するシステム向けに進んだアップグレードの方法を提供します。このデバイスは業界最高レベルのI/O、組込みエンクロージャ機能、および高性能内部スイッチングアーキテクチャを兼ね備えており、高性能SASストレージソリューションの設計、開発および展開に必要な全ての機能を備えています。
このデバイスは、パラレルSCSI技術を現在採用し、SCSI中心のソフトウェアや管理ソリューションに大きく依存するシステム向けに進んだアップグレードの方法を提供します。このデバイスは業界最高レベルのI/O、組込みエンクロージャ機能、および高性能内部スイッチングアーキテクチャを兼ね備えており、高性能SASストレージソリューションの設計、開発および展開に必要な全ての機能を備えています。
技術資料
| データシート | 強化型Generation II 6.0Gbps 18-PHY SASエキスパンダ | Oct 22, 2010 |
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