DS3030W

クロック付き、3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM

DS3030W:RTC内蔵、3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM


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説明

DS3030Wは、スタティックRAM、不揮発性(NV)コントローラ、2000年問題対応リアルタイムクロック(RTC)、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの実装面積を持つ表面実装モジュールに収められています。VCCがモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリは再充電され、クロックおよびSRAMは外部電源から給電されて、クロックレジスタやSRAMの内容を変更することができます。VCCがパワーダウンされるか、または許容範囲外になると、コントローラによってメモリ内容は書込み保護され、クロックおよびSRAMはバッテリから給電されます。また、DS3030Wは電源モニタ出力(アクティブローRST)とユーザプログラマブルな割込み出力(アクティブローIRQ/FT)も備えています。
DS3030W:標準動作回路 DS3030W:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • マンガンリチウムバッテリおよびチャージャ内蔵
  • リアルタイムクロック内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にクロックおよびSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • リセット出力をCPU監視機能として使用可能
  • 割込み出力をCPUウォッチドッグタイマとして使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃

アプリケーション/用途

  • データ収集システム
  • 火災報知器
  • ゲーム
  • 産業用コントローラ
  • PLC
  • POS端末
  • RAIDシステムおよびサーバ
  • ルータ/スイッチ

技術資料

アプリケーションノート 3693 マキシムがシングルピースNV SRAMモジュールの設計を選択する理由

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS3030W.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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