DS28E80

耐ガンマ線1-Wireメモリ

医療用センサー/アクセサリ用の低コストのIDまたは較正ソリューション、単一接点動作


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説明

DS28E80は、ユーザープログラム可能な不揮発性メモリチップです。フローティングゲートストレージセルとは対照的に、DS28E80はガンマ線への耐性があるストレージセル技術を採用しています。DS28E80は8バイトのブロックで構成された248バイトのユーザーメモリを備えています。各ブロックを書込み保護することが可能です。各メモリブロックは8回の書込みが可能です。DS28E80は単一接点の1-Wire®バス上で、標準速度またはオーバードライブ速度で通信します。各デバイスは、出荷時にチップにプログラムされる保証された固有の64ビットの登録番号を備えています。通信は1-Wireプロトコルに従い、複数デバイスの1-Wireネットワークの場合は64ビット登録番号がノードアドレスとして機能します。
DS28E80:標準動作回路 DS28E80:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • 高いガンマ耐性によって医療滅菌前の製造または較正データのユーザープログラムを実現
    • ガンマ放射線耐性:最大75kGy (キログレイ)
    • 再プログラム可能な248バイトのユーザーメモリ
  • ブロックサイズの小型化によってユーザーメモリに対するプログラムの柔軟性が向上
    • メモリは8バイトのブロックとして構成
    • 各ブロックは8回の書込みが可能
    • 各メモリブロックに対するユーザー設定可能な書込み保護
  • 高度な1-Wireプロトコルによってインタフェースを単一接点のみに最小化
  • 小型パッケージと単一IOインタフェースによって基板面積の削減と信頼性の向上を実現
    • 出荷時に設定された固有の64ビットID番号
    • 1-Wireの標準速度(最大15.3kbps)とオーバードライブ速度(最大76kbps)で通信
    • 動作範囲:3.3V ±10%、-40℃~+85℃(読取り)、0℃~+50℃(書込み)
    • IO端子の±8kV HBM ESD保護(typ)
    • 6ピンTDFNパッケージ

アプリケーション/用途

  • 医療器具/アクセサリのIDおよび較正
  • 医療用消耗品のID
Part NumberApplicationsMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS28E80 
Gamma Sterilization
Medical Consumable ID
EEPROM2K x 11-Wire2.973.63
TDFN HYBRID/6
TSOC/6
$0.83 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
価格についての注:
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DS28E80EVKIT: DS28E80の評価システム

技術資料

アプリケーションノート 6755 Wirelessly Powering and Accessing a 1-Wire Network
アプリケーションノート 6075 New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables
チュートリアル 1796 1-Wire技術の概要とその使用法

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS28E80.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS28E80Q+T
  • DS28E80Q+U
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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    関連リソース

    種類 ID PDF タイトル
    アプリケーションノート 6755 Wirelessly Powering and Accessing a 1-Wire Network
    アプリケーションノート 6075 New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables
    チュートリアル 1796 1-Wire技術の概要とその使用法
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    評価ボード8696DS28E80EVKIT DS28E80の評価システム