DS28E04-100

PIO付き、4096ビットアドレス指定可能1-Wire EEPROM

ラックベース、マルチカードアプリケーションに使用するための、プログラム可能なI/O付き、1-Wire®アドレス指定可能な、4Kb EEPROM


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説明

DS28E04-100は、4096ビットの1-Wire® EEPROMチップで、7つのアドレス入力を備えています。各アドレス入力は、1-Wireの64ビットのデバイスID番号に直接マッピングされるため、ホストシステムでは、マルチデバイス1-Wireネットワーク環境でのDS28E04-100の物理ロケーションまたは機能的関連を容易に特定することができます。4096ビットEEPROMアレイは、各32バイトの16ページとして構成され、書込み動作の実行のために32バイトのスクラッチパッドを備えています。EEPROMメモリページは、個別に書込み保護や、EPROMエミュレーションモードに設定することができます。EPROMエミュレーションモードでは、各ビットは1から0にのみ状態を変更することができます。メモリのほか、DS28E04-100は2つの汎用I/Oポートを備えています。このポートは、入力用、またはレベル/パルス出力の生成に使用することができます。また、アクティビティレジスタは、状態変化を監視するためにポートのアクティビティを入力します。DS28E04-100では、1個の接続を持つ1-Wireバスを介して通信が行われます。この通信では、標準的なマキシムの1-Wireプロトコルが使用されます。
DS28E04-100:標準動作回路 DS28E04-100:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • 各256ビット、16ページに分割された4096ビットEEPROMメモリ
  • 7つのアドレス入力による物理ロケーションの設定
  • パルス生成機能を備えた2つの汎用PIO端子
  • 各メモリページの永久的な書込み保護、またはOTP EPROMエミュレーションモード(「0に書き込み」)の設定が可能
  • ホストとの通信は15.3kbpsまたは111kbpsの単一デジタル信号で行い、1-Wireプロトコルを使用
  • パラサイトパワーまたはVCCによる給電
  • PIOステータスまたはPIOアクティビティに基づく条件検索
  • スイッチポイントヒステリシスおよびフィルタリングによってノイズ環境における性能を最適化
  • 2.8V~5.25V、-40℃~+85℃の広い電圧/温度範囲で読取りと書込み
  • 16ピン150mil SOパッケージ

アプリケーション/用途

  • 接続製品、光ネットワークユニット、およびPBX
  • アクセサリ/プリント基板の識別
  • セントラルオフィススイッチ、セルラー基地局、アクセス製品、光ネットワークユニット、およびPBXなどのモジュラーシステムの自動設定
Part NumberApplicationsMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS28E04-100 
Asset Tracking
Inventory
Peripheral ID and Control
Rack Card ID
EEPROM4K x 11-Wire2.85.25
SOIC (N)/16
$2.31 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (47)
価格についての注:
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デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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