DS2030W

3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM


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説明

DS2030Wは、256kbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの実装面積を持つ表面実装モジュールに収められています。VCCがモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリが再充電され、SRAMには外部電源から電力が供給され、SRAMの内容は変更可能です。VCCがパワーダウンするか、または許容範囲外になると、コントローラによってSRAMの内容は書込み保護され、SRAMの電源はバッテリから供給されます。また、DS2030Wは電源モニタ出力の/RSTを備えています。これは、マイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用することができます。

主な特長

  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になった場合は無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(3.3V)を下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃

アプリケーション/用途

  • データ収集システム
  • 火災報知器
  • ゲーム
  • 産業用コントローラ
  • PLC
  • POS端末
  • RAIDシステムおよびサーバ
  • ルータ/スイッチ

技術資料

アプリケーションノート 3693 マキシムがシングルピースNV SRAMモジュールの設計を選択する理由

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS2030W.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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