DS1270W

3.3V、16Mb不揮発性SRAM

最高16Mb密度を提供する3.3V不揮発性SRAM


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説明

16Mb不揮発性(NV) SRAMのDS1270Wは、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
DS1270W:ピン配置 DS1270W:ピン配置 拡大表示+

主な特長

  • 外部電源なしで最低5年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(IND)

アプリケーション/用途

  • 自動試験装置(ATE)
  • 自動料金メータ読取り器
  • ビルエネルギー管理(HVAC)
  • ケーブルモデム
  • コンピュータ:デスクトップ、ワークステーション、サーバ
  • デジタルテレビ(レシーバ、セットトップボックス)
  • モデム(アナログ、ISDN、DSL)
  • ネットワークハブ、交換機、ルータ
  • ノートブックコンピュータ
  • オシロスコープ
  • プリンタおよびファックス
  • プログラマブルロジックコントローラ
  • ストレージシステム
  • 試験および測定機器
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1270W NV SRAM2M x 8Parallel33.6
MOD/36
$130.64 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
価格についての注:
このページに掲載された価格は、類似製品と比較するための参考価格です。価格は米国ドルで表記されており変更されることがあります。購入数によって価格は大幅に変わることがあり、米国以外での価格は各地域の関税、税金、手数料、および為替レートによって異なることがあります。購入数やバージョンが確定されている場合の価格および在庫状況については、購入に関するページを参照いただくか正規代理店までお問い合わせください。

技術資料

アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS1270W.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS1270W-100#
  • DS1270W-100IND#
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

    品質管理システム >
    環境管理システム >

     
    Status:
    Package:
    Temperature:

    関連リソース

    種類 ID PDF タイトル
    アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
    アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
    アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
    アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
    アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
    アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions