DS1265W

3.3V、8Mb不揮発性SRAM


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説明

8Mb不揮発性(NV) SRAMのDS1265Wは、8,388,608ビット(1,048,576ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
DS1265W:ピン配置 DS1265W:ピン配置 拡大表示+

主な特長

  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(IND)

技術資料

アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS1265W.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS1265W-100+
  • DS1265W-100IND+
  • DS1265W-150+
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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    関連リソース

    種類 ID PDF タイトル
    アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
    アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
    アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
    アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
    アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
    アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions