DS1258W

3.3V、128k x 16不揮発性SRAM


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説明

3.3V 128k x 16不揮発性SRAMのDS1258Wは、2,097,152ビット(131,072ワード x 16ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。DIPパッケージのDS1258Wデバイスは、さまざまな個別部品の利用によって不揮発性128k x 16メモリを構成するソリューションの代りに使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

主な特長

  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 上位バイトと下位バイトを別々のチップにセレクト入力
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 高速100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • オプションの工業用温度範囲-40℃~+85℃ (INDのサフィックス)

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS1258W.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

その他リソース

UL認定
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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関連リソース