DS1250Y

4096k不揮発性SRAM


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説明

4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これによってVCCの許容範囲からの外れが常に監視されます。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊を防止します。DIPパッケージDS1250デバイスは、通常のバイト長の32ピンDIP規格に適合する既存の512k x 8スタティックRAMと置換使用することができます。また、PowerCapモジュールパッケージのDS1250デバイスは、そのまま表面実装可能で、通常はDS9034PC PowerCapとペアで完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みのサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対して回路の追加の必要がありません。
DS1250AB、DS1250Y:ピン配列 DS1250AB、DS1250Y:ピン配列 拡大表示+

主な特長

  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • ±10% VCCの動作電圧範囲(DS1250Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作電圧範囲(DS1250AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1250AB NV SRAM512K x 8Parallel4.755.25
MOD/32
PWRCP/34
$57.07 @1k
DS1250Y 4.55.5
LPM/34
MOD/32
PWRCP/34
$58.73 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (47)
価格についての注:
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技術資料

アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
アプリケーションノート 4006 NV SRAM Device Programmers
アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions

品質および環境データ

信頼性レポートをリクエスト: DS1250Y 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS1250Y-100+
  • DS1250Y-100IND+
  • DS1250Y-70+
  • DS1250Y-70IND+
  • DS1250YP-70+
  • DS1250YP-70IND+
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

    品質管理システム >
    環境管理システム >

     
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    関連リソース

    種類 ID PDF タイトル
    アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
    アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
    アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
    アプリケーションノート 4006 NV SRAM Device Programmers
    アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
    アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
    アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions