DS1245Y

 

型番	Replacement	Explanation

説明

EE-Sim^®を使って設計とシミュレーションを行う:

1024k不揮発性(NV) SRAMのDS1245は、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってV_CCの許容範囲からの外れを常に監視しています。V_CCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1245は、通常のバイト長の32ピンDIP規格に適合する既存の128k x 8スタティックRAMと置換使用できます。PowerCapモジュールパッケージのDS1245は、そのまま表面実装することができ、通常はDS9034PCというPowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路追加の必要がありません。

DS1245AB、DS1245Y：ピン配列 拡大表示+

主な特長

• 外部電源なしで最低10年間データを保持
• 停電中は、データを自動的に保護
• 128k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
• 無制限の書込みサイクル
• 低電力CMOS
• 70nsの読取り/書込みアクセス時間
• 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
• V_CC ±10%の動作電圧範囲(DS1245Y)
• オプションとして、V_CC ±5%の動作電圧範囲(DS1245AB)
• オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
• JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
• PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
  • 直接表面実装可能なモジュール
  • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
  • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
  • 一般のスクリュードライバでPowerCapは容易に取外し可能