DS1230AB

256k不揮発性SRAM


製品の特定バージョンの最新供給状況はこちらでご確認ください。

説明

256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
DS1230AB、DS1230Y:ピン配列 DS1230AB、DS1230Y:ピン配列 拡大表示+

主な特長

  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1230AB NV SRAM32K x 8Parallel4.755.25
MOD/28
PWRCP/34
$14.26 @1k
DS1230Y 4.55.5
MOD/28
PWRCP/34
$14.83 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (47)
価格についての注:
このページに掲載された価格は、類似製品と比較するための参考価格です。価格は米国ドルで表記されており変更されることがあります。購入数によって価格は大幅に変わることがあり、米国以外での価格は各地域の関税、税金、手数料、および為替レートによって異なることがあります。購入数やバージョンが確定されている場合の価格および在庫状況については、購入に関するページを参照いただくか正規代理店までお問い合わせください。

技術資料

アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
アプリケーションノート 4392 How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module
アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
アプリケーションノート 4006 NV SRAM Device Programmers
アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions
アプリケーションノート 170 Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS1230AB.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS1230AB-100+
  • DS1230AB-120+
  • DS1230AB-120IND+
  • DS1230AB-150+
  • DS1230AB-200+
  • DS1230AB-70+
  • DS1230AB-70IND+
  • DS1230AB-85+
  • DS1230ABP-100+
  • DS1230ABP-70+
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

    品質管理システム >
    環境管理システム >

     
    Status:
    Package:
    Temperature:

    関連リソース

    種類 ID PDF タイトル
    アプリケーションノート 5013 マキシム製品におけるリチウムバッテリ
    アプリケーションノート 4893 Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
    アプリケーションノート 4392 How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module
    アプリケーションノート 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
    アプリケーションノート 4006 NV SRAM Device Programmers
    アプリケーションノート 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
    アプリケーションノート 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
    アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions
    アプリケーションノート 170 Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems