先頭に戻る

耐ガンマ線1-Wireメモリ

医療用センサー/アクセサリ用の低コストのIDまたは較正ソリューション、単一接点動作

製品の詳細

主な特長

アプリケーション/用途

Parametric specs for Secure Authenticators
End Equipment Medical Consumable ID
Bus Type 1-Wire
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Oper. Temp. (°C) -40 to +85
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
Price (See Notes)
0.87
Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
End Equipment Gamma Sterilization
Medical Consumable ID
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Bus Type 1-Wire
VSUPPLY (V) (min) 2.97
VSUPPLY (V) (max) 3.63
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
Price (See Notes)
0.87
全て表示する

簡易ブロック図

技術資料

データシート 耐ガンマ線1-Wireメモリ Oct 01, 2019
チュートリアル 1-Wire技術の概要とその使用法
アプリケーションノート Using a UART to Implement a 1-Wire Bus Master
アプリケーションノート Using a UART to Implement a 1-Wire Bus Master

サポートとトレーニング

技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。

絞り込まれた検索

マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。

パラメーター

Parametric specs for Secure Authenticators
End Equipment Medical Consumable ID
Bus Type 1-Wire
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Oper. Temp. (°C) -40 to +85
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
Price (See Notes)
0.87
Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
End Equipment Gamma Sterilization
Medical Consumable ID
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Bus Type 1-Wire
VSUPPLY (V) (min) 2.97
VSUPPLY (V) (max) 3.63
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
Price (See Notes)
0.87

主な特長

  • 高いガンマ耐性によって医療滅菌前の製造または較正データのユーザープログラムを実現
    • ガンマ放射線耐性:最大75kGy (キログレイ)
    • 再プログラム可能な248バイトのユーザーメモリ
  • ブロックサイズの小型化によってユーザーメモリに対するプログラムの柔軟性が向上
    • メモリは8バイトのブロックとして構成
    • 各ブロックは8回の書込みが可能
    • 各メモリブロックに対するユーザー設定可能な書込み保護
  • 高度な1-Wireプロトコルによってインタフェースを単一接点のみに最小化
  • 小型パッケージと単一IOインタフェースによって基板面積の削減と信頼性の向上を実現
    • 出荷時に設定された固有の64ビットID番号
    • 1-Wireの標準速度(最大15.3kbps)とオーバードライブ速度(最大76kbps)で通信
    • 動作範囲:3.3V ±10%、-40℃~+85℃(読取り)、0℃~+50℃(書込み)
    • IO端子の±8kV HBM ESD保護(typ)
    • 6ピンTDFNパッケージ

アプリケーション/用途

  • 医療器具/アクセサリのIDおよび較正
  • 医療用消耗品のID

説明

DS28E80は、ユーザープログラム可能な不揮発性メモリチップです。フローティングゲートストレージセルとは対照的に、DS28E80はガンマ線への耐性があるストレージセル技術を採用しています。DS28E80は8バイトのブロックで構成された248バイトのユーザーメモリを備えています。各ブロックを書込み保護することが可能です。各メモリブロックは8回の書込みが可能です。DS28E80は単一接点の1-Wire®バス上で、標準速度またはオーバードライブ速度で通信します。各デバイスは、出荷時にチップにプログラムされる保証された固有の64ビットの登録番号を備えています。通信は1-Wireプロトコルに従い、複数デバイスの1-Wireネットワークの場合は64ビット登録番号がノードアドレスとして機能します。

簡易ブロック図

DS28E80:標準動作回路 DS28E80:標準動作回路 Zoom icon

技術資料

データシート 耐ガンマ線1-Wireメモリ Oct 01, 2019
チュートリアル 1-Wire技術の概要とその使用法
アプリケーションノート Using a UART to Implement a 1-Wire Bus Master
アプリケーションノート Using a UART to Implement a 1-Wire Bus Master

サポートとトレーニング

技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。

絞り込まれた検索

マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。