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マキシムのメモリ製品は1-Wireインタフェースを特長とした特化したメモリ、スタティックRAM、および不揮発性RAMコントローラから構成されています。

マキシムの1-Wireメモリデバイスは、メモリ、ミックスドシグナル、およびセキュア認証機能を単一接点のシリアルインタフェースで組み合わせています。NVSRAMデバイスは高速の読取り/書込みおよびSRAMのエンデュランスを特長としており、複数の不揮発性メモリ設定およびパッケージオプションの利便性も備えています。NVRAMコントローラは、タイムキーピング機能を任意に組み込みながらCMOS RAMを不揮発性メモリに変換します。

DS2485 Advanced 1-Wire® Master with Memory

The DS2485 is a 1-Wire® master that performs protocol conversion between the I2C master and any ...

DS2401 シリコンシリアルナンバー

DS2401の拡張シリコンシリアルナンバーは全くユニークなIDを提供する低コストの電子登録番号です。このIDは、最小限の電子インタフェース(通常は、マイクロコントローラのポートピン1本)で設定...
  • 保証された固有の64ビットROM IDチップによって絶対的なトレーサビリティを実現
    • 固有の、出荷時レーザ書込みされたテスト済みの64ビット登録番号(8ビットのファミリコード + 48ビットのシリアルナンバー + 8ビットのCRC検証値)
    • 8ビットのファミリコードによってDS2401の通信要件をリーダーに通知
  • 最小限の1-Wire®インタフェースによってコストとインタフェースの複雑さを低減
    • 複数のDS2401デバイスを共通の1-Wireネットワークに接続可能
    • 内蔵マルチドロップコントローラによって他の1-Wireネットワーク製品との互換性を確保
    • 制御、アドレス、データ、および電源を1つの端子に集約し、最大16.3kbpsで通信
    • リーダーの最初の電圧印加時にプレゼンスパルスによってアクノリッジ
    • 低コストTO-92、SOT-223、およびTSOC表面実装パッケージ
    • 100mil間隔の曲げリード(デフォルト)またはストレートリード(DS2401-SL)のTO-92テープ&リールバージョン
  • 広い動作電圧/温度範囲によって堅牢なシステム性能を実現
    • 拡張範囲:2.8V~6.0V
    • スタンバイ電力不要
    • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃

DS2433 4Kb、1-Wire EEPROM

4Kb 1-Wire® EEPROMのDS2433は、製品の関連情報を識別し保存します。このロットまたは製品の特定情報は、マイクロコントローラのシングルポート端子のような最小限のインタフェース...
  • 4096ビットの電気的消去可能なプログラマブル読取り専用メモリ(EEPROM)
  • 固有の、出荷時レーザ書き込みされた、試験済みの64ビット登録番号(8ビットのファミリコード + 48ビットシリアル番号 + 8ビットCRCテスタ)によって同一製品がないため完全識別が可能
  • 内蔵のマルチドロップコントローラが他のMicroLAN製品との互換性を確保
  • 16の256ビットページにパーティションされたメモリでデータのパケット化
  • データ転送の確実性を確保する、厳密な読み書きプロトコルを備えた256ビットスクラッチパッド
  • 制御、アドレス、データ、および電力を単一データピンに集約
  • マイクロプロセッサの単一ポート端子に直接接続し最大16.3kbpsの通信
  • 通信速度を142kbpsに上げるオーバドライブモード
  • リーダにDS2433通信要件を特定する8ビットファミリコード
  • リーダが最初に電圧を印加すると確認するプレゼンス検出器
  • 低コストPR-35、SFN、フリップチップまたは8ピンSO表面実装パッケージ
  • 2.8V~6.0Vの広い電圧範囲、-40℃~+85℃で読み書き

DS2432 SHA-1エンジン内蔵、1Kb保護1-Wire EEPROM

DS2432は、1024ビットのEEPROM、64ビットのシークレット、8バイトのレジスタ/制御ページと、最大5つのユーザ読込み/書込みバイト、512ビットのSHA-1エンジン、およびフル機能...
  • 256ビットの4ページにパテーションした1128ビットの5V EEPROMメモリ、64ビットの書き込み専用のシークレット、および最大5つの汎用読込み/書込みレジスタ
  • 160ビットのMAC (Message Authentication Codes)を計算しシークレットを生成するオンチップの512ビットISO/IEC 10118-3 SHA-1エンジン
  • 書込みアクセスには、シークレットの知識、および認証として160ビットMACの計算および伝送能力が必要
  • シークレットおよびデータメモリは書込み保護(すべてまたはページ0のみ)またはEPROMエミュレーションモード(ページ1、「0に書込み」)に移行可能
  • 同一製品がないので完全な追跡を保証する固有の、出荷時にレーザ書き込みされた、試験済みの64ビットの登録番号
  • 他の1-Wire®ネット製品との互換性を確保するマルチドロップコントローラ内蔵
  • 単一データ端子への制御、アドレス、データおよび電力を削減
  • マイクロプロセッサの単一ポート端子へ直接接続、および最大15.3kbpsで通信
  • 通信速度を最大90.9kbpsまで上げるオーバドライブモード
  • 低コスト6ピンTSOC表面実装パッケージ、または半田バンプUCSP™パッケージ
  • 広い電圧範囲(2.8V~5.25V)で読込みおよび書込み(-40℃~+85℃)
印刷可能なデータシート

DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM

DS24B33は、4096ビット、1-Wire® EEPROMで、16ページのメモリページとして構成され、各ページは256ビットです。データは、32バイトスクラッチパッドに書き込まれ、検証され...
  • 各256ビットの16ページに区分された4096ビット不揮発性EEPROM
  • 読取り/書込みアクセスはDS2433と高い下位互換性を保持
  • 厳密な読込み/書込みプロトコルを使用する256ビットスクラッチパッドによって、データ伝送の完全性を保証
  • 出荷時設定の固有64ビット登録番号がエラーフリーのデバイス選択と絶対的な部品識別を保証
  • スイッチポイントヒステリシスによって、ノイズ環境における性能を最適化
  • 1-Wireプロトコルを使って、15.4kbpsまたは125kbpsでホストと通信
  • 低コストのスルーホールおよびSMDパッケージ
  • 動作範囲:+2.8V~+5.25V、-40℃~+85℃
  • I/O端子用のIEC 1000-4-2レベル4のESD保護(±8kV接触放電、±15kV気中放電、typ)

DS2430A 256ビット1-Wire EEPROM

256ビット1-Wire® EEPROMのDS2430Aは、関連する製品の適切な情報を識別し保存します。このロットまたは製品特定情報は最小限のインタフェース、例えばマイクロコントローラの単一ポ...
  • 256ビットの電気的消去可能なプログラマブル読取専用メモリ(EEPROM)、および64ビットのワンタイムプログラマブルアプリケーションレジスタ
  • 出荷時にレーザで書き込まれたテスト済みの固有の64ビット登録番号(8ビットファミリコード + 48ビットシリアル番号 + 8ビットCRCテスタ)により、同一パーツがないため確実な識別情報を保証
  • 内蔵のマルチドロップコントローラにより、他のMicroLAN製品とコンパチブル
  • ランダムアクセス用に32バイト(1ページ)で構成されたEEPROM
  • 制御、アドレス、データ、電源を単一データピンに集約
  • マイクロプロセッサの単一ポートピンに直接接続および最大15.3kbpsで通信
  • 8ビットファミリコードがDS2430Aの通信要件をリーダに特定
  • リーダに初めて電圧が印加されるとプレゼンス検出器が認識
  • 低コストTO-92または6ピンTSOCおよびUCSP表面実装パッケージ
  • 2.8V~5.25Vの広い電圧範囲(-40℃~+85℃)での読取りと書込み

DS1225AB 64k不揮発性SRAM

DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)

DS1230Y 256k不揮発性SRAM

256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易

DS1250Y 4096k不揮発性SRAM

4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • ±10% VCCの動作電圧範囲(DS1250Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作電圧範囲(DS1250AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能

DS1250AB 4096k不揮発性SRAM

4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • ±10% VCCの動作電圧範囲(DS1250Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作電圧範囲(DS1250AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能

DS1245Y 1024k不揮発性SRAM

1024k不揮発性(NV) SRAMのDS1245は、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 128k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1245Y)
  • オプションとして、VCC ±5%の動作電圧範囲(DS1245AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは容易に取外し可能

DS1961S SHA-1エンジン付き、iButton 1Kb EEPROM

DS1961Sは、1024ビットのEEPROM、64ビットのシークレット、最大5バイトのユーザ読取り/書込みバイト数の8バイトレジスタ/制御ページ、512ビットSHA-1エンジン、およびフル機...
  • 4ページ x 256ビット、64ビット書込み専用シークレット、および最大5個の汎用読取り/書込みレジスタに分割された1128ビットの5V EEPROMメモリ
  • 書込みアクセスには、160ビットMAC認証の計算・伝送機能の能力とシークレットについての知識が必要
  • シークレットとデータメモリは、書込み保護が可能(全部、またはページ0のみ)、もしくはEPROMエミュレーションモードに入れることが可能(「0に書込み」、ページ1)
  • 160ビットMACの計算とシークレットの生成を行なうオンチップ512ビットSHA-1エンジン
  • 2.8V~5.25V (-40℃~+85℃)の広い電圧範囲での読取りと書込み
  • 1-Wireプロトコルと14.1kbpsで単一デジタル信号によりホストと通信
  • データ転送保護用の16ビットCRC発生器内蔵
  • オーバドライブモードにより、通信速度を125kbpsに向上
  • 動作温度範囲:-40℃~+85℃
  • +85℃で10年以上のデータ保持
一般的なiButton機能
  • 出荷時にレーザで書き込まれたテスト済みの固有の64ビット登録番号(8ビットファミリコード + 48ビットシリアルナンバー + 8ビットCRCテスタ)により、同一登録番号がないため確実な追跡が可能
  • 1-Wireネットワーク用のマルチドロップコントローラ
  • 瞬時接触によるデジタル識別と情報
  • チップベースのデータキャリアによる、情報高密度保存
  • 物体に取り付けられた状態でデータにアクセス可能
  • カップ形プローブと自動整合が可能なボタン形状
  • 過酷な環境に耐える、登録番号が刻印された耐久性のあるステンレス鋼製ケース
  • 粘着性の接着基材による容易な取付け、フランジによる保持、または枠に押し当てたリングでロック
  • 電圧初期投入を存在検出器が認知

DS1225AD 64k不揮発性SRAM

DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)

DS1220AB 16k不揮発性SRAM

16k不揮発性(NV) SRAMのDS1220ABとDS1220ADは、16,384ビット(2048ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠24ピンDIPパッケージ
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1220AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1220AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)

DS1230AB 256k不揮発性SRAM

256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易

DS28E05 1-Wire EEPROM

DS28E05は、各16バイトの7ページとして構成された112バイトのユーザープログラム可能EEPROMです。メモリページは、保護バイトの設定を介して個別に書込み保護またはEPROMエミュレー...
  • 単一接点1-Wireインタフェース
  • 1000回の書込みサイクルを備えた112バイトのユーザーEEPROM
  • 設定可能なユーザーメモリの書込み保護とOTP EPROMエミュレーションモード
  • 固有の出荷時設定される64ビットROM ID番号
  • 最大76.9kbpsでホストと通信(オーバードライブのみ)
  • 動作範囲:1.71V~3.63V、-40℃~+85℃
  • IO端子のESD保護:±8kV HBM (typ)
  • 4ピンUCSP、2パッドSFN、3ピンSOT23および6ピンTSOCパッケージ

DS28E80 耐ガンマ線1-Wireメモリ

DS28E80は、ユーザープログラム可能な不揮発性メモリチップです。フローティングゲートストレージセルとは対照的に、DS28E80はガンマ線への耐性があるストレージセル技術を採用しています。D...
  • 高いガンマ耐性によって医療滅菌前の製造または較正データのユーザープログラムを実現
    • ガンマ放射線耐性:最大75kGy (キログレイ)
    • 再プログラム可能な248バイトのユーザーメモリ
  • ブロックサイズの小型化によってユーザーメモリに対するプログラムの柔軟性が向上
    • メモリは8バイトのブロックとして構成
    • 各ブロックは8回の書込みが可能
    • 各メモリブロックに対するユーザー設定可能な書込み保護
  • 高度な1-Wireプロトコルによってインタフェースを単一接点のみに最小化
  • 小型パッケージと単一IOインタフェースによって基板面積の削減と信頼性の向上を実現
    • 出荷時に設定された固有の64ビットID番号
    • 1-Wireの標準速度(最大15.3kbps)とオーバードライブ速度(最大76kbps)で通信
    • 動作範囲:3.3V ±10%、-40℃~+85℃(読取り)、0℃~+50℃(書込み)
    • IO端子の±8kV HBM ESD保護(typ)
    • 6ピンTDFNパッケージ