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マキシムのメモリ製品は1-Wireインタフェースを特長とした特化したメモリ、スタティックRAM、および不揮発性RAMコントローラから構成されています。

マキシムの1-Wireメモリデバイスは、メモリ、ミックスドシグナル、およびセキュア認証機能を単一接点のシリアルインタフェースで組み合わせています。NVSRAMデバイスは高速の読取り/書込みおよびSRAMのエンデュランスを特長としており、複数の不揮発性メモリ設定およびパッケージオプションの利便性も備えています。NVRAMコントローラは、タイムキーピング機能を任意に組み込みながらCMOS RAMを不揮発性メモリに変換します。

DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM
DS24B33は、4096ビット、1-Wire® EEPROMで、16ページのメモリページとして構成され、各ページは256ビットです。データは、32バイトスクラッチパッドに書き込まれ、検証され...
  • 各256ビットの16ページに区分された4096ビット不揮発性EEPROM
  • 読取り/書込みアクセスはDS2433と高い下位互換性を保持
  • 厳密な読込み/書込みプロトコルを使用する256ビットスクラッチパッドによって、データ伝送の完全性を保証
  • 出荷時設定の固有64ビット登録番号がエラーフリーのデバイス選択と絶対的な部品識別を保証
  • スイッチポイントヒステリシスによって、ノイズ環境における性能を最適化
  • 1-Wireプロトコルを使って、15.4kbpsまたは125kbpsでホストと通信
  • 低コストのスルーホールおよびSMDパッケージ
  • 動作範囲:+2.8V~+5.25V、-40℃~+85℃
  • I/O端子用のIEC 1000-4-2レベル4のESD保護(±8kV接触放電、±15kV気中放電、typ)
DS2401 シリコンシリアルナンバー
DS2401の拡張シリコンシリアルナンバーは全くユニークなIDを提供する低コストの電子登録番号です。このIDは、最小限の電子インタフェース(通常は、マイクロコントローラのポートピン1本)で設定...
  • 保証された固有の64ビットROM IDチップによって絶対的なトレーサビリティを実現
    • 固有の、出荷時レーザ書込みされたテスト済みの64ビット登録番号(8ビットのファミリコード + 48ビットのシリアルナンバー + 8ビットのCRC検証値)
    • 8ビットのファミリコードによってDS2401の通信要件をリーダーに通知
  • 最小限の1-Wire®インタフェースによってコストとインタフェースの複雑さを低減
    • 複数のDS2401デバイスを共通の1-Wireネットワークに接続可能
    • 内蔵マルチドロップコントローラによって他の1-Wireネットワーク製品との互換性を確保
    • 制御、アドレス、データ、および電源を1つの端子に集約し、最大16.3kbpsで通信
    • リーダーの最初の電圧印加時にプレゼンスパルスによってアクノリッジ
    • 低コストTO-92、SOT-223、およびTSOC表面実装パッケージ
    • 100mil間隔の曲げリード(デフォルト)またはストレートリード(DS2401-SL)のTO-92テープ&リールバージョン
  • 広い動作電圧/温度範囲によって堅牢なシステム性能を実現
    • 拡張範囲:2.8V~6.0V
    • スタンバイ電力不要
    • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS28EC20 20Kb 1-Wire EEPROM
DS28EC20は、20480ビット、1-Wire® EEPROMで、80ページのメモリページとして構成され、各ページは各256ビットです。さらに別の1ページが制御機能用に割り当てられています...
  • 各256ビットの80ページに区分された20480ビット不揮発性(NV) EEPROM
  • 各8ページ構成グループのメモリページ(ブロック)の永久的な書込み保護、またはOTP EPROMエミュレーションモード(「Write to 0 (0に書込み)」)の設定が可能
  • 読取り/書込みアクセスは、旧デバイス(DS2433など)との高い下位互換性を保持
  • 厳密な読取り/書込みプロトコルを使用する256ビットスクラッチパッドによって、データ伝送の完全性を保証
  • 耐久性:+25℃で20万回の書込み/消去サイクル
  • 出荷時設定の固有の64ビット登録番号が、エラーフリーのデバイス選択と絶対的な部品識別を保証
  • ノイズ環境での性能を最適化するスイッチポイントヒステリシスおよびフィルタリング
  • 1-Wireプロトコルを使用して15.4kbpsまたは90kbpsでホスト通信
  • 低コストのTO-92パッケージ
  • 動作範囲:4V~5.25V、-40℃~+85℃
  • 動作範囲:3.135V~3.465V、0℃~+70℃ (標準速度のみ)
  • I/Oピン用のIEC 1000-4-2レベル4のESD保護(±8kV接触放電、±15kV空中放電、typ)
DS2065W 3.3Vシングルピース8Mb不揮発性SRAM
DS2065Wは8Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されて...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源喪失が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2045Y シングルピース1Mb不揮発性SRAM
DS2045は、1Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されて...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になった場合は無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(5V)を5%または10%下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2050W 3.3Vシングルピース4Mb不揮発性SRAM
DS2050Wは4Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMで、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されていま...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源喪失が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2045AB シングルピース1Mb不揮発性SRAM
DS2045は、1Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されて...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になった場合は無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(5V)を5%または10%下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2030Y シングルピース256kb不揮発性SRAM
DS2030は、256kbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成さ...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(5V)を5%または10%下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2431-A1 車載アプリケーション用、1024ビット、1-Wire EEPROM
DS2431-A1は、DS2431のAEC-Q100グレード1認定バージョンです。両バージョンのロジック動作は同一です。DS2431-A1は、各256ビットの4つのメモリページから成る1024...
  • 各256ビットの4ページに分割された1024ビットのEEPROMメモリ
  • 各メモリページは永久書き込み保護されるか、またはEPROMエミュレーションモード(「0に書込み」)に入ることが可能
  • ノイズのある場合の性能を最適化するスイッチポイントヒステリシスおよびフィルタリング
  • IEC 1000-4-2レベル4 ESD保護(+8kV接触、+15kVエア、typ)
  • -40℃~+125℃、4.5V~5.25Vの電圧範囲で読書き
  • 1-Wireプロトコルを使って15.4kbpsで、シングルディジタル信号によりホストと通信
  • AEC-Q100グレード1適正要件に適合
  • 工業用温度範囲の標準バージョンも入手可能(DS2431)
DS2045W 3.3Vシングルピース1Mb不揮発性SRAM
DS2045Wは、1Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成され...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になった場合は無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(3.3V)を下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2030W 3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM
DS2030Wは、256kbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になった場合は無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(3.3V)を下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2030L 3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM
DS2030Lは256kbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成さ...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2070W 3.3Vシングルピース16Mb不揮発性SRAM
DS2070Wは16Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成され...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS3030W クロック付き、3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM
DS3030Wは、スタティックRAM、不揮発性(NV)コントローラ、2000年問題対応リアルタイムクロック(RTC)、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • マンガンリチウムバッテリおよびチャージャ内蔵
  • リアルタイムクロック内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にクロックおよびSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • リセット出力をCPU監視機能として使用可能
  • 割込み出力をCPUウォッチドッグタイマとして使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2030AB シングルピース256kb不揮発性SRAM
DS2030は、256kbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成さ...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵の電源モニタはVCCが定格(5V)を5%または10%下回ると電源障害として検出
  • リセット出力はマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
DS2045L 3.3Vシングルピース1Mb不揮発性SRAM
1Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMのDS2045Lは、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されていま...
  • シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生するとバッテリ電源に自動切換え
  • 内蔵電源モニタによって公称VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃