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/content/maximintegrated/ja/products/ibutton-one-wire/memory-products

マキシムのメモリ製品は1-Wireインタフェースを特長とした特化したメモリ、スタティックRAM、および不揮発性RAMコントローラから構成されています。

マキシムの1-Wireメモリデバイスは、メモリ、ミックスドシグナル、およびセキュア認証機能を単一接点のシリアルインタフェースで組み合わせています。NVSRAMデバイスは高速の読取り/書込みおよびSRAMのエンデュランスを特長としており、複数の不揮発性メモリ設定およびパッケージオプションの利便性も備えています。NVRAMコントローラは、タイムキーピング機能を任意に組み込みながらCMOS RAMを不揮発性メモリに変換します。

DS2485 Advanced 1-Wire® Master with Memory

The DS2485 is a 1-Wire® master that performs protocol conversion between the I2C master and any ...

DS1225AB 64k不揮発性SRAM

DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)

DS1250AB 4096k不揮発性SRAM

4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • ±10% VCCの動作電圧範囲(DS1250Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作電圧範囲(DS1250AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能

DS1230Y 256k不揮発性SRAM

256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易

DS1250Y 4096k不揮発性SRAM

4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • ±10% VCCの動作電圧範囲(DS1250Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作電圧範囲(DS1250AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能

DS1245Y 1024k不揮発性SRAM

1024k不揮発性(NV) SRAMのDS1245は、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 128k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1245Y)
  • オプションとして、VCC ±5%の動作電圧範囲(DS1245AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは容易に取外し可能

DS1220AB 16k不揮発性SRAM

16k不揮発性(NV) SRAMのDS1220ABとDS1220ADは、16,384ビット(2048ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠24ピンDIPパッケージ
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1220AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1220AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)

DS1230AB 256k不揮発性SRAM

256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易

DS1225AD 64k不揮発性SRAM

DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)

DS1245AB 1024k不揮発性SRAM

1024k不揮発性(NV) SRAMのDS1245は、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 128k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1245Y)
  • オプションとして、VCC ±5%の動作電圧範囲(DS1245AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは容易に取外し可能

DS1220AD 16k不揮発性SRAM

16k不揮発性(NV) SRAMのDS1220ABとDS1220ADは、16,384ビット(2048ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠24ピンDIPパッケージ
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1220AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1220AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)

DS1245W 3.3V、1024k不揮発性SRAM

3.3V 1024k不揮発性SRAMのDS1245Wは、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 128k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは容易に取外し可能

DS1270Y 16M不揮発性SRAM

16M不揮発性SRAMのDS1270は、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制...
  • 外部電源なしで最低5年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1270Y)
  • オプションとしてVCC ±5%の動作電圧範囲(DS1270AB)
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)

DS1330W バッテリモニタ内蔵、3.3V、256k不揮発性SRAM

3.3V 256k NV SRAMのDS1330Wは、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと...
  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 無電源時データ自動保護
  • VCCの起動中にVCCに電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で、電源モニタはプロセッサをリセット
  • バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 無制限書込みサイクル可能
  • 標準スタンバイ電流:50µA
  • 32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード品
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • オプションの-40℃~+85℃の工業用温度範囲(IND)
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
    • 全不揮発性SRAM製品で標準化ピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能

DS1249AB 2048k不揮発性SRAM

2048k不揮発性(NV) SRAMのDS1249は、2,097,152ビット(262,144ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電...
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1249Y)
  • オプションとして、VCC ±5%の動作電圧範囲(DS1249AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用(IND)温度範囲
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ

DS1270AB 16M不揮発性SRAM

16M不揮発性SRAMのDS1270は、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制...
  • 外部電源なしで最低5年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1270Y)
  • オプションとしてVCC ±5%の動作電圧範囲(DS1270AB)
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)

DS1258AB 128k x 16不揮発性SRAM

128k x 16不揮発性(NV) SRAMのDS1258は、2,097,152ビット(131,072ワード x 16ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチ...
  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 上位バイトと下位バイトを別々のチップにセレクト入力
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • ±10%の動作電圧範囲(DS1258Y)
  • オプションとして±5%の動作電圧範囲(DS1258AB)
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)