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1500MHz~6000MHzデュアルアナログ電圧可変アッテネータ、10ビットSPI制御DAC内蔵

46.6dBのリニア制御されたダイナミックレンジと優れた減衰平坦性を特長とする高性能RF VVA

製品の詳細

主な特長

アプリケーション/用途

Parametric specs for RF and IF Variable Gain Amplifiers
Gain Control Analog + Digital
# Channels 1
2
RF Freq. (MHz) (min) 1500
RF Freq. (MHz) (max) 6000
Analog Attenuation Range 46.6
Digital Attenuation Range (dB) 46.6
Gain (dB) (max) -7.6
Input IP3 (dBm) 37
HD2 (dBc) -72.2
HD3 (dBc) -104.7
VCC (V) 3.15 to 3.45
4.75 to 5.25
ISUPPLY (mA) 13
Footprint (mm x mm) 6.0 x 6.0
Package/Pins TQFN/36
Oper. Temp. (°C) -40 to +100
Budgetary
Price (See Notes)
0
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パラメーター

Parametric specs for RF and IF Variable Gain Amplifiers
Gain Control Analog + Digital
# Channels 1
2
RF Freq. (MHz) (min) 1500
RF Freq. (MHz) (max) 6000
Analog Attenuation Range 46.6
Digital Attenuation Range (dB) 46.6
Gain (dB) (max) -7.6
Input IP3 (dBm) 37
HD2 (dBc) -72.2
HD3 (dBc) -104.7
VCC (V) 3.15 to 3.45
4.75 to 5.25
ISUPPLY (mA) 13
Footprint (mm x mm) 6.0 x 6.0
Package/Pins TQFN/36
Oper. Temp. (°C) -40 to +100
Budgetary
Price (See Notes)
0

主な特長

  • 広帯域カバレッジ
    • RF周波数範囲:1500MHz~6000MHz
  • 高リニアリティ
    • IIP3:+37dBm以上(全減衰範囲)
    • 入力P1dB:+23.7dBm
  • 2個のアナログアッテネータを1つのモノリシックデバイスに集積化
  • 2つの簡便な制御オプション
    • 単一アナログ電圧
    • SPI制御10ビットDAC内蔵
  • ステップアップ/ダウンパルスコマンド入力
  • 柔軟な減衰量制御範囲
    • 23.3dB (アッテネータ当り)
    • 46.6dB (両方のアッテネータをカスケード時)
  • リニアなdB/Vのアナログ制御応答曲線によって自動レベル制御とゲイントリムのアルゴリズムが簡素化
  • 広い周波数範囲と減衰量設定にわたる優れた減衰平坦性
  • コンパレータ内蔵(アッテネータ制御電圧の逐次比較測定用)
  • 低消費電流:13mA
  • 単一電源電圧:5Vまたは3.3V
  • MAX19791およびMAX19792とピンコンパチブル
  • MAX19794とピンコンパチブル(2つのシャントコンデンサ追加が必要)
  • MAX19790とPCBコンパチブル
  • 鉛(Pb)フリーパッケージ

アプリケーション/用途

  • 自動レベル制御(ALC)
  • ワイヤレスインフラストラクチャのデジタルおよびスペクトラム拡散通信システムなどのブロードバンドシステムアプリケーション
  • 汎用試験装置
  • ラインアップゲイントリム
  • マイクロ波ポイント間システム
  • レシーバ利得制御
  • 温度補償回路
  • トランスミッタ利得制御
  • VSAT/衛星モデム
  • WCDMA/LTE、TD-SCDMA/TD-LTE、WiMAX®、cdma2000®、GSM/EDGE、およびMMDS基地局

説明

デュアル汎用アナログ電圧可変アッテネータ(VVA)のMAX19793は、1500MHz~6000MHzの周波数範囲で動作する50Ωシステムとインタフェースするように設計されています。このデバイスには、8.4dB/Vの標準リニア制御スロープで23.3dBの減衰範囲(アッテネータ当り)を実現する特許取得済みの制御回路が内蔵されています。

両方のアッテネータが共通のアナログ制御を共有しており、カスケード接続によって46.6dBの総減衰範囲を実現可能で、組み合わせ時の標準リニア制御スロープは16.8dB/V (5V動作)です。

また、両方のアッテネータの制御に内蔵の4線式SPI制御10ビットDACを使用することもできます。さらに、ステップアップ/ダウン機能を備えているため、SPIインタフェースを再プログラムしなくても、コマンドパルスによってユーザー設定可能な形でアッテネータをステップ実行可能です。

MAX19793は、マキシム独自のSiGe BiCMOSプロセスの1つを使用して設計されたモノリシックデバイスです。この製品は、+5Vまたは代替の+3.3Vの単一電源で動作します。このデバイスは、エクスポーズドパッドを備えた小型36ピンTQFNパッケージ(6mm x 6mm x 0.8mm)で提供されます。電気的性能は、-40℃~+100℃の拡張温度範囲で保証されています。

簡易ブロック図

MAX19793:標準アプリケーション回路 MAX19793:標準アプリケーション回路 Zoom icon

技術資料

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