MAX1385

I²C/SPIインタフェース内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ

省電力、高集積、コスト削減


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説明

MAX1385/MAX1386は、携帯電話基地局に見られるデュアルRF LDMOSパワーデバイス用のバイアス状態の設定と制御を行います。各デバイスは、利得が2、10、および25から選択可能なハイサイド電流検出アンプを内蔵しており、20mA~5Aの範囲のLDMOSドレイン電流を監視します。2つの外付けダイオード接続トランジスタがLDMOS温度を監視すると同時に、内部温度センサがMAX1385/MAX1386のローカルのダイ温度を測定します。12ビットADCが、プログラマブルゲインアンプ(PGA)の出力、外部/内部温度の読取り、および2つの補助入力を変換します。

2つのゲートドライブチャネルは、それぞれ8ビット粗調整および10ビット微調整のDAC、およびゲートドライブアンプで構成され、LDMOSデバイスをバイアスする正ゲート電圧を生成します。MAX1385は利得2のゲートドライブアンプを備え、MAX1386のゲートドライブアンプの利得は4です。8ビット粗調整および10ビット微調整DACによって、最大18ビットの分解能が可能です。MAX1385/MAX1386は、自動較正機能を備えており、時間、温度、電源電圧全体においての誤差を最小限に抑えます。

MAX1385/MAX1386は、I²C/SPI™対応のシリアルインタフェースを備えています。いずれのデバイスも、4.75V~5.25Vのアナログ電源(3.2mA電源電流)、2.7V~5.25Vのディジタル電源(3.1mA電源電流)、および4.75V~11.0Vのゲートドライブ電源(4.5mA電源電流)で動作します。MAX1385/MAX1386は、48ピンTQFNパッケージで提供されます。
MAX1385、MAX1386:標準動作回路(I²Cモード) MAX1385、MAX1386:標準動作回路(I²Cモード) 拡大表示+

主な特長

  • 利得が2、10、または25のハイサイドドレイン電流検出PGA内蔵
  • 検出電圧範囲(75mV~250mV)の精度:±0.5%
  • フルスケール検出電圧:100mV (利得が25の場合)
  • フルスケール検出電圧:250mV (利得が10の場合)
  • LDMOS用ドレイン電圧コモンモード範囲:5V~30V
  • ±10mAのゲートドライブによる調整可能な低ノイズ範囲:0~5V、出力ゲートバイアス電圧範囲:0~10V
  • 0Vへの高速クランプによるLDMOS保護
  • ゲートバイアス電圧の8ビットDAC制御
  • 温度によるゲートバイアスオフセットの10ビットDAC制御
  • 内部ダイ温度測定
  • ダイオード接続トランジスタ(2N3904)による外部温度測定
  • 温度、電流、および電圧の内部12ビットADC測定
  • 選択可能なI²C/SPI対応のシリアルインタフェース
    • 設定とデータ測定用400kHz/1.7MHz/3.4MHzのI²C対応の制御
    • 設定とデータ測定用16MHzのSPI対応の制御
  • 内部2.5Vリファレンス
  • 3つのアドレス入力によってI²Cモードで8つのデバイスを制御

アプリケーション/用途

  • 産業用プロセス制御
  • セルラ基地局のRF LDMOSバイアス制御

技術資料

チュートリアル 5100 RFおよびミックスドシグナルPCBレイアウトの一般的ガイドライン
アプリケーションノート 4065 Implementing a MAX1385-Based Control Loop in C/C++

品質および環境データ

信頼性レポートをリクエスト: MAX1385 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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