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自動RF MESFETアンプドレイン電流コントローラ

A級およびAB級アンプ用デュアルMESFETバイアス制御

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主な特長

  • デュアル、ドレイン電流検出利得アンプ
    • 4にプリセットされた利得
    • 75mV~625mV間での検出電圧の精度:±0.5% (MAX11014)
  • コモンモード検出抵抗の電圧範囲
    • 0.5V~11V (MAX11014)
    • 5V~32V (MAX11015)
  • ±10mAのゲート駆動能力を備えた低ノイズ出力ゲートバイアス
  • 高速クランプおよびパワーオンリセット
  • 12ビットDACがMESFETゲート電圧を制御
  • 内部温度センサ/デュアルリモートダイオード温度センサ
  • 内蔵12ビットADCが温度および電圧を測定
  • 端子で選択可能なシリアルインタフェース
    • 3.4MHzのI²C対応のインタフェース
    • 20MHzのSPI/MICROWIRE対応インタフェース

アプリケーション/用途

  • セルラ基地局RF MESFETバイアスコントローラ
  • 産業用プロセス制御
  • ポイント間またはポイント-マルチポイント間リンク

説明

MAX11014/MAX11015は、ポイント間通信やその他のマイクロ波基地局で使用されるデュアルMESFETパワーデバイスのバイアス条件を設定し、制御します。MAX11014はA級MESFETアンプ動作用に完全デュアル、アナログ閉ループドレイン電流コントローラを内蔵し、またMAX11015はAB級アンプでの動作を対象にしています。両デバイスとも、温度およびドレイン電流の補償データの保存に使用可能なSRAMルックアップテーブル(LUT)を内蔵しています。

各デバイスはデュアル、ハイサイド、電流検出アンプを内蔵し、検出抵抗両端間の0~625mVの範囲の電圧降下によってMESFETドレイン電流を監視します。外付けのダイオード接続トランジスタはMESFET温度を監視し、また内部温度センサはMAX11014/MAX11015の局所のダイ温度を測定します。内蔵DACは、ゲート電圧を制御することによって電流検出抵抗の両端間の電圧を設定します。内蔵の12ビットSAR ADCは、内外温度、内部DAC電圧、電流検出アンプ電圧、および外部ゲート電圧をディジタル化します。11個のADCチャネルのうち2つは、アナログシステム監視用に汎用アナログ入力として利用可能です。

MAX11014のゲートドライブアンプはA級ドレイン電流制御ループの積分器として機能し、またMAX11015のゲートドライブアンプはAB級アプリケーション用に-2の利得で機能します。電流制限付きゲートドライブアンプは、シリアルインタフェースからのディジタル入力とは無関係の外部電圧に高速クランプすることができます。MAX11014およびMAX11015はともにセルフキャリブレーションモードを備え、時間、温度、および電源電圧の全範囲でのエラーを最小限に抑えます。

MAX11014/MAX11015は内部リファレンスを備え、別々のADCおよびDAC外部リファレンスでも動作することができます。内部リファレンスは、ADC、DAC、および温度センサ用に適切にレギュレートされた低ノイズの+2.5Vリファレンスを提供します。これらの集積回路は、20MHzのSPI™/MICROWIRE™対応の4線式シリアルインタフェース、または3.4MHzのI²C対応のシリアルインタフェース(端子選択可能)で動作します。両デバイスとも、+4.75V~+5.25Vのアナログ電源(標準消費電流2.8mA)、+2.7V~+5.25Vのディジタル電源(標準消費電流1.5mA)、および-4.5V~-5.5Vの負電源(消費電流1.1mA)で動作します。MAX11014/MAX11015は48ピンTQFNパッケージで提供され、-40℃~+105℃の温度範囲での動作が保証されています。

簡易ブロック図

MAX11014、MAX11015:標準動作回路 MAX11014、MAX11015:標準動作回路 Zoom icon

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