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製品の詳細
主な特長
アプリケーション/用途
Parametric specs for Laser Drivers
Target Oper. Range (Gbps) | 5 to >10 |
Data Rate (Mbps) (min) | 1000 |
Data Rate (Mbps) (max) | 11300 |
VSUPPLY (V) | 3.3 |
ICC (mA) (typ) | 55 |
IMOD (mA) (max) | 85 |
IBIAS (mA) (max) | 105 |
Package/Pins | TQFN/16 |
Budgetary Price (See Notes) | 3.14 |
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簡易ブロック図
技術資料
データシート | 11.3Gbps、低電力、AC結合レーザドライバ | Feb 20, 2017 |
パラメーター
Parametric specs for Laser Drivers
Target Oper. Range (Gbps) | 5 to >10 |
Data Rate (Mbps) (min) | 1000 |
Data Rate (Mbps) (max) | 11300 |
VSUPPLY (V) | 3.3 |
ICC (mA) (typ) | 55 |
IMOD (mA) (max) | 85 |
IBIAS (mA) (max) | 105 |
Package/Pins | TQFN/16 |
Budgetary Price (See Notes) | 3.14 |
主な特長
- 低消費電力
- 基板スペースの削減
- 小型3mm x 3mmパッケージ
- 柔軟性
- プログラム可能な変調電流:85mA (max) (5Ω負荷)
- プログラム可能なバイアス電流:105mA (max)
- プログラム可能な入力イコライゼーションと出力デエンファシス
- セーフティ
- SFF-8431 SFP+ MSAおよびSFF-8472のデジタル診断をサポート
- マスク可能なフォルトを備えたアイセーフティ機能内蔵
- バイアス電流モニタ
アプリケーション/用途
- 10GBASE-LR SFP+光トランシーバ
- 10GBASE-LRM SFP+光トランシーバ
- OC192-SR SFP+ SDH/SONETトランシーバ
説明
MAX3949は、3.3V、マルチレート、低電力レーザダイオードドライバで、最大11.3Gbpsのデータレートのイーサネット、ファイバチャネル、およびSONET伝送システム向けに設計されています。このデバイスは、25Ωフレキシブル回路を備えた差動トランスミッタ光サブアセンブリ(TOSA)の駆動に最適化されています。独自の設計を採用した出力段によって、整合されていないTOSAの使用が可能です。
このデバイスは、終端を内蔵しており、AC結合の差動信号を受信します。このデバイスは、5Ωの外部差動負荷に対して、エッジ速度22ps (20%~80%)で最大85mAのレーザ変調電流を供給可能です。このデバイスは、高帯域幅の差動信号経路を備えた設計で、出力に逆終端抵抗を内蔵しています。入力イコライゼーションブロックを作動させることによって、SFP+ホストコネクタの損失を補償することができます。内蔵のバイアス回路が、最大105mAのプログラム可能なレーザバイアス電流を供給します。レーザバイアス電流ジェネレータとレーザモジュレータの両方を、単一の端子によってディセーブルすることができます。
3線式デジタルインタフェースの使用によってピン数が減少するとともに、外付け部品を必要とすることなく、入力イコライゼーション、極性、出力デエンファシス、変調電流、およびバイアス電流の調整が可能です。このデバイスは、16ピンTQFNパッケージ(3mm x 3mm)で提供され、-40℃~+95℃の拡張温度範囲での動作が保証されています。
このデバイスは、終端を内蔵しており、AC結合の差動信号を受信します。このデバイスは、5Ωの外部差動負荷に対して、エッジ速度22ps (20%~80%)で最大85mAのレーザ変調電流を供給可能です。このデバイスは、高帯域幅の差動信号経路を備えた設計で、出力に逆終端抵抗を内蔵しています。入力イコライゼーションブロックを作動させることによって、SFP+ホストコネクタの損失を補償することができます。内蔵のバイアス回路が、最大105mAのプログラム可能なレーザバイアス電流を供給します。レーザバイアス電流ジェネレータとレーザモジュレータの両方を、単一の端子によってディセーブルすることができます。
3線式デジタルインタフェースの使用によってピン数が減少するとともに、外付け部品を必要とすることなく、入力イコライゼーション、極性、出力デエンファシス、変調電流、およびバイアス電流の調整が可能です。このデバイスは、16ピンTQFNパッケージ(3mm x 3mm)で提供され、-40℃~+95℃の拡張温度範囲での動作が保証されています。
技術資料
データシート | 11.3Gbps、低電力、AC結合レーザドライバ | Feb 20, 2017 |