MAX3940

集積化バイアスネットワーク付き、10Gbps EAMドライバ

変調およびバイアス機能内蔵、10.7Gbps電界吸収変調器(EAM)ドライバ


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説明

MAX3940は、最高10.7Gbpsのデータレートで電界吸収型変調器(EAM)を駆動するよう設計されています。このデバイスは、DC電圧によって外部からプログラムされる制御オペアンプ、およびバイアス回路と変調回路機能を内蔵しています。

内蔵バイアス回路は、最大50mAのプログラマブルバイアス電流を供給します。このバイアス電流によって、外部の50Ω負荷に最大1.25Vのバイアス電圧が発生します。バイアス回路と変調回路は、チップ内部で接続されているため外付けバイアスインダクタが不要です。

広帯域幅の完全差動信号経路が内部で構成されており、ジッタの蓄積を最小化します。クロック信号が利用可能な場合は、内蔵データリタイミング機能で入力信号ジッタ除去を選択することができます。

MAX3940は、内蔵の50Ωライン終端で差動CML信号(グランド基準)を受け入れます。出力は、バック終端用の50Ω抵抗器を備えており、23ps (標準20%~80%)のエッジ速度で40mAP-P~120mAP-Pの変調電流を供給することができます。この変調電流によって、1.0VP-P~3.0VP-PのEAM変調電圧が発生します。

MAX3940は、非対称EAM特性を前補正する可変パルス幅制御回路も内蔵しています。
MAX3940:標準アプリケーション回路 MAX3940:標準アプリケーション回路 拡大表示+

主な特長

  • 内蔵バイアスネットワーク
  • エッジ速度:23ps
  • 最大プログラマブル変調電圧:3VP-P
  • 最大プログラマブルEAMバイアス電圧:1.25V
  • 選択可能なデータリタイミングラッチ
  • 最高10.7Gbps動作
  • 変調およびバイアス機能内蔵
  • 内蔵50Ω入出力終端
  • パルス幅調整
  • イネーブルおよび極性制御
  • ESD保護

アプリケーション/用途

  • 10Gbpsイーサネット
  • DWDMシステム
  • 長/短距離光トランスミッタ
  • SONET/OC-192およびSDH/STM-64伝送システム

技術資料

アプリケーションノート 1816 HFAN-02.0.2: Laser Diode to Single-Mode Fiber Coupling Efficiency: Part 1 - Butt Coupling

品質および環境データ

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鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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