DS3922

高速カレントミラーおよび内蔵FET、DC-DCコントローラ用

APDバイアス、カレントミラー、およびDC-DC FETを内蔵したシングルチップバーストモードRSSIソリューション


製品の特定バージョンの最新供給状況はこちらでご確認ください。

説明

高速カレントミラーのDS3922は、アバランシェフォトダイオード(APD)バイアスおよびOLTアプリケーションにおけるバーストモード受信電力信号の監視に必要な高電圧デバイスを内蔵しています。このデバイスは、APD電流監視用の2つの小利得および1つの大利得カレントミラー出力を備えています。調整可能な電流クランプは、APDを通って流れる電流を制限します。このクランプは、外部シャットダウンも備えています。内蔵FETも提供されており、高い光入力パワー発生時に高電圧バイアスを迅速にグランドにクランプするために使用することができます。内蔵の低電圧FET回路を使用して、効率的なレーザーバイアスおよびEMLバイアスアプリケーションのためのバック、ブースト、および反転DC-DCコンバータを作成することも可能です。

DS3922は24ピンTQFNパッケージで提供され、-40℃~+95℃の拡張温度範囲で動作します。

DS3922:標準動作回路 DS3922:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • 2つのカレントミラー出力による高精度バーストモードRSSI測定によってダイナミックレンジを拡大
    • 光入力範囲:-32dBm~-5dBm
    • 精度:±0.5dB
    • サンプリング時間:わずか300ns
    • 端子放電オプション
  • シャットダウンオプションを備えた低ノイズAPDバイアスによってレシーバの感度を低減
    • APDバイアス:15V~76V
    • 外付けコンデンサ接続によってAPD電圧フィルタのRC時定数を制御
    • 可変制限を備えた電流クランプおよび制限ステータスによる外部シャットダウン
    • 高電圧スイッチFETによるAPDの高速シャットダウン
  • 追加のDC-DC機能をサポート
    • 効率的なDFBバイアスのための低電圧同期整流バックFET
    • 低電圧pMOSFETによってEML用の負のバイアス電圧を生成
  • 小型パッケージによって総ソリューションサイズおよびコストを削減
    • エクスポーズドパッドを備えた24ピンTQFNパッケージ(3.5mm x 3.5mm)

アプリケーション/用途

  • 10G EPON
  • 10GPON OLT
  • アバランシェフォトダイオード(APD)監視
  • EMLバイアス
  • GPON OLT
Part NumberPhoto Diode Appl.IDIODEIDIODEVBIAS
(V)
ICC
(µA)
Package/PinsOper. Temp.
(°C)
minmaxmaxtyp
DS3922 APD10µA3.3mA761000
TQFN/24
-40 to +95
全Fiber Photodiode Current Monitors (9)
価格についての注:
このページに掲載された価格は、類似製品と比較するための参考価格です。価格は米国ドルで表記されており変更されることがあります。購入数によって価格は大幅に変わることがあり、米国以外での価格は各地域の関税、税金、手数料、および為替レートによって異なることがあります。購入数やバージョンが確定されている場合の価格および在庫状況については、購入に関するページを参照いただくか正規代理店までお問い合わせください。

品質および環境データ

信頼性レポートをリクエスト: DS3922 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート

CAD Symbols and Footprints

  • DS3922T+
  • DS3922T+T
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

    品質管理システム >
    環境管理システム >

     
    Status:
    Package:
    Temperature:

    関連リソース