製品の詳細
主な特長
アプリケーション/用途
Photo Diode Appl. | APD |
IDIODE (min) | 10µA |
IDIODE (max) | 3.3mA |
VBIAS (V) (max) | 76 |
ICC (µA) (typ) | 1000 |
Package/Pins | TQFN/24 |
Oper. Temp. (°C) | -40 to +95 |
Budgetary Price (See Notes) | 2.64 |
簡易ブロック図
Technical Docs
データシート | 高速カレントミラーおよび内蔵FET、DC-DCコントローラ用 | Mar 03, 2015 |
サポートとトレーニング
技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。
絞り込まれた検索マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。
サンプルについて:
サンプルは、外部のADI Sample Siteでのご注文となります。選択したパーツはSample Siteログイン後、カートに引き継がれます。Sample Siteを初めて使用する際は、アカウント登録をお願いいたします。Sample Siteに関するご質問は、SampleSupport@analog.comまでお問合せください。
パラメーター
Photo Diode Appl. | APD |
IDIODE (min) | 10µA |
IDIODE (max) | 3.3mA |
VBIAS (V) (max) | 76 |
ICC (µA) (typ) | 1000 |
Package/Pins | TQFN/24 |
Oper. Temp. (°C) | -40 to +95 |
Budgetary Price (See Notes) | 2.64 |
主な特長
- 2つのカレントミラー出力による高精度バーストモードRSSI測定によってダイナミックレンジを拡大
- 光入力範囲:-32dBm~-5dBm
- 精度:±0.5dB
- サンプリング時間:わずか300ns
- 端子放電オプション
- シャットダウンオプションを備えた低ノイズAPDバイアスによってレシーバの感度を低減
- APDバイアス:15V~76V
- 外付けコンデンサ接続によってAPD電圧フィルタのRC時定数を制御
- 可変制限を備えた電流クランプおよび制限ステータスによる外部シャットダウン
- 高電圧スイッチFETによるAPDの高速シャットダウン
- 追加のDC-DC機能をサポート
- 効率的なDFBバイアスのための低電圧同期整流バックFET
- 低電圧pMOSFETによってEML用の負のバイアス電圧を生成
- 小型パッケージによって総ソリューションサイズおよびコストを削減
- エクスポーズドパッドを備えた24ピンTQFNパッケージ(3.5mm x 3.5mm)
アプリケーション/用途
- 10G EPON
- 10GPON OLT
- アバランシェフォトダイオード(APD)監視
- EMLバイアス
- GPON OLT
説明
DS3922は24ピンTQFNパッケージで提供され、-40℃~+95℃の拡張温度範囲で動作します。
Technical Docs
データシート | 高速カレントミラーおよび内蔵FET、DC-DCコントローラ用 | Mar 03, 2015 |
サポートとトレーニング
技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。
絞り込まれた検索マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。
サンプルについて:
サンプルは、外部のADI Sample Siteでのご注文となります。選択したパーツはSample Siteログイン後、カートに引き継がれます。Sample Siteを初めて使用する際は、アカウント登録をお願いいたします。Sample Siteに関するご質問は、SampleSupport@analog.comまでお問合せください。