DS3171

シングル/デュアル/トリプル/クワッドDS3/E3シングルチップトランシーバ


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説明

DS3171 (シングル)、DS3172 (デュアル)、DS3173 (トリプル)、およびDS3174 (クワッド)は、フレーミング、フォーマット、およびラインの送信および受信を行います。これらの製品はLIU、フレーマ/フォーマッタを内蔵しており、M23 DS3、CビットDS3、G.751 E3、G.832 E3またはこれらの信号フォーマットの組合せが可能です。

各LIUは個別の受信および送信パスを備えています。レシーバLIUブロックは、B3ZSまたはHDB3コードのAMI信号からクロックおよびデータリカバリを実行し、入力信号のロスを監視するか、または直接クロックおよびデータ入力にバイパスすることが可能です。レシーバLIUブロックは状況に応じてB3ZS/HDB3のデコードを行います。トランスミッタLIUは、標準的なパルス整形波形を75Ω同軸ケーブル上に駆動するか、または直接クロックおよびデータ出力にバイパスすることが可能です。LIUをイネーブルとして使う時は、ジッタ減衰器は送信または受信データパスに配置することができます。DS3/E3フレーマは、適切にフォーマットされたM23 DS3、CビットDS3、G.751 E3、またはG.832 E3データストリームでシリアルデータを送信および受信します。使用していない機能はパワーダウンされることによってデバイスの消費電力を低減することができます。DS317x DS3/E3 SCTはフルデータシートの「Section 4 (セクション4)」に記載されている電気通信規格に準拠しています。
DS3171、DS3172、DS3173、DS3174:ファンクションダイアグラム DS3171、DS3172、DS3173、DS3174:ファンクションダイアグラム 拡大表示+

主な特長

  • DS3およびE3対応の、シングル(DS3171)、デュアル(DS3172)、トリプル(DS3173)、またはクワッド(DS3174)のシングルチップトランシーバ
  • 4つのデバイスはすべてピン互換のため、同じPCBプラットフォームを使ってポート密度の移行が容易
  • 各ポートは個別に設定可能
  • DS3およびE3に対応した受信クロック/データリカバリと送信波形整形を実行
  • ジッタ減衰器は受信データパスまたは送信データパスに配置可能
  • 最大380m/1246フィート(DS3)または440m/1443フィート(E3)の長さの75Ω同軸ケーブルに接続
  • TxとRxの両方で1:2トランスを使用
  • DS3 (M23またはCビット)およびE3 (G.751またはG.832)フレーマを内蔵
  • 各ポートは個別にDS3、E3の設定が可能
  • 内蔵のHDLCコントローラは256バイトのFIFOを備え、DS3 PMDL、G.751 Snビット、およびG.832 NR/GCバイトの挿入/抽出が可能
  • PRBSおよび反復パターン生成、検出、および分析を行うBERT内蔵
  • 1秒以上の積算インターバルに対応可能な大容量の性能監視カウンタ
  • DS3、E3フレーマ用の柔軟性の高いオーバヘッド挿入/抽出ポート
  • AISをループバック方向と異なる方向に挿入可能な、ライン、診断、フレーマ、ペイロード、およびアナログを含むループバック
  • ポートをディセーブルにして節電可能
  • 内蔵のクロックレートアダプタが3つの標準周波数(DS3、E3、STS-1)の1つにおいてシングルクロックリファレンスソースから、内部で必要な残りの44.736MHz (DS3)および34.368MHz (E3)を生成
  • DS318x製品ファミリおよびDS316x製品ファミリとピン互換
  • 8/16ビット汎用マイクロプロセッサインタフェース
  • 低電力動作:3.3V (~1.73W、5V耐圧I/O)
  • 1.27mmピンピッチの放熱効果を高めた小型高密度チップスケールBGAパッケージ(TE-CSBGA)
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
  • IEEE1149.1 JTAGテストポート
  • アプリケーション/用途

    • アクセスコンセントレータ
    • デジタルクロスコネクト
    • 統合アクセスデバイス(IAD)
    • マルチサービスアクセスプラットフォーム(MSAP)
    • マルチサービスプロトコルプラットフォーム(MSPP)
    • PBX
    • PDHマルチプレクサ/デマルチプレクサ
    • ルータおよびスイッチ
    • SONET/SDH ADMおよびマルチプレクサ
    • 試験装置

    ツールおよびモデル

  • DS3171 A2 BSDLモデル
  • DS3171 IBISモデル
  • CAD Symbols and Footprints

  • DS3171
  • DS3171N
  • DS3171N+
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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    関連リソース


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