DS32B35

TCXO/水晶/FRAM内蔵、高精度I²C RTC

不揮発性メモリはバックアップ電源不要で書込みサイクルに制限なし


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説明

高精度リアルタイムクロック(RTC)のDS32B35/DS32C35は、内蔵の温度補償水晶発振器(TCXO)、水晶、および不揮発性メモリバンク(FRAM)をシングルパッケージに集積したクロック/カレンダです。不揮発性メモリは2048 x 8ビットおよび8192 x 8ビットの2種類の密度で提供されます。水晶振動子を内蔵しているため、製造ラインの部品点数が削減されるだけでなく、デバイスの長期的な精度も向上します。このデバイスはI²Cシリアルインタフェース上でスレーブデバイスとして動作し、300mil、20ピンSOパッケージで、民生用と工業用の両方の温度範囲で提供されます。

クロック/デートが秒、分、時間、曜日、日付、月、および年の情報を提供。月の最終日には、うるう年の修正を含め、31日より少ない月について自動的に調整します。

DS32B35/DS32C35は、メモリ内容の保持にバックアップエネルギー源が不要な不揮発性メモリバンクを備えています。また、読出しまたは書込みサイクルの制限はありません。メモリアレイには、磨耗メカニズムなしで製品寿命の間、最大サイクル速度でアクセス可能です。

その他のデバイス機能には、2つの時刻アラーム、割込みまたはプログラマブルな方形波のいずれかを提供する選択可能な出力、および較正済みの32.768kHzの方形波出力などがあります。リセット入力/出力端子によって他のデバイス用にパワーオンリセットが可能です。 また、リセット端子は、外部からのリセット生成用の押しボタン入力として監視されます。

高精度温度補償電圧リファレンスおよびコンパレータ回路はVCCのステータスを監視し、電源障害を検出し、リセット出力を提供し、必要に応じてRTC/TCXOのバックアップ電源に自動的に切り替わります。加えてアクティブローRST端子はプッシュボタン入力として監視されリセットを外部から生成します。
DS32B35、DS32C35:標準動作回路 DS32B35、DS32C35:標準動作回路 拡大表示+

主な特長

  • 32.768kHzの水晶内蔵
  • 高速I²Cインタフェース:400kHz
  • RTCは、秒、分、時間、曜日、日付、月、および年をカウント(うるう年の補正は2100年まで有効)
  • RTCの精度:±2ppm (0℃~+40℃)
  • RTCの精度:±3.5ppm (-40℃~0℃および+40℃~+85℃)
  • 10年の保証バックアップ期間と書込み保護を備える不揮発性メモリ
  • 不揮発性メモリを2種類の密度で提供
    • 2048バイト(DS32B35)
    • 8192バイト(DS32C35)
  • メモリのサイクル数に制限なし
  • パワースイッチング回路によってRTC用に主電源またはバッテリバックアップを選択
  • 32.768kHz、8.192kHz、4.096kHz、または1Hzの周波数でプログラマブルな方形波
  • 2つの時刻アラーム
  • リセット出力/プッシュボタンリセット(デバウンス付き)入力
  • プログラマブルな出力は割込みまたは方形波を提供
  • 較正済みの32.768kHzのオープンドレイン出力
  • 精度±3℃の温度センサ
  • 動作電圧:3.3V
  • 民生用および工業用温度範囲
  • 300mil、20ピンSOパッケージ

アプリケーション/用途

  • GPS
  • 産業用制御
  • 計測
  • サーバ
  • テレマティクス
  • ユーティリティ電力メータ

技術資料

アプリケーションノート 5143 Feature Comparison of the DS323x Real-Time Clocks
製品の信頼性レポート: DS32B35.pdf 
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)   Material Composition  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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関連リソース


MAX31343
±5ppm, I2C Real-Time Clock with Integrated MEMS Oscillator

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アプリケーションノート 5143 Feature Comparison of the DS323x Real-Time Clocks