DS1647, DS1647P

不揮発性タイムキーピングRAM


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説明

DS1647は、フル機能のリアルタイムクロックを備えた512k x 8の不揮発性スタティックRAMで、これらはともにバイト幅形式でアクセスできます。この不揮発性タイムキーピングRAMは、JEDEC規格の512k x 8 SRAMと機能的に等価です。さらに、このデバイスは、ROM、EPROM、EEPROMに容易に置き換えることができ、読取り/書込みが不揮発性で、リアルタイムクロック機能が追加されています。リアルタイムクロック情報は、8つの最上位RAM位置に常駐します。RTCレジスタは、年、月、日、曜日、時間、分、秒の各データを24時間BCD形式で保存します。日付とうるう年の補正は自動です。RTCクロックレジスタは、クロックの更新サイクルの過程で発生の可能性のある不正データのアクセスを防止するためにダブルバッファされています。また、ダブルバッファ方式では、タイムキーピングカウントダウンは時間レジスタデータへのアクセスに影響されないので、タイムロスも防止されます。さらに、DS1647は、専用の停電回路を内蔵しているので、VCC電源が許容範囲から外れた状態にあるとき、デバイスの選択を解除します。この機能は、不正なアクセスや更新サイクルを回避する一方で、低レベルのVCCによって生じる予期しないシステム動作に対してデータの損失を防止します。
DS1647、DS1647P:ブロックダイアグラム DS1647、DS1647P:ブロックダイアグラム 拡大表示+

主な特長

  • NV SRAM、リアルタイムクロック、水晶振動子、停電制御回路、リチウム電池を内蔵
  • スタティックRAMと同様にアクセスできるクロックレジスタ。これらのレジスタは、8つの最上位のRAM位置に常駐
  • 無電源で10年以上動作と不揮発性完全維持
  • うるう年補正機能が付いた、BCDコードの年、月、日、曜日、時間、分、秒:2099年まで有効
  • 停電時書込み保護による、VCC ±10%電源変動許容
  • DS1647のみ(DIPモジュール):
    • JEDEC規格のバイト幅128k x 8 RAMのピン配列
  • DS1647Pのみ(PowerCapモジュールボード):
    • バッテリと水晶振動子内蔵PowerCapへの直接接続用表面実装型パッケージ
    • バッテリ交換可能(PowerCap)
    • 電源障害出力
    • DS164xPタイムキーピングRAMの他の記録密度とピンコンパチブル

CAD Symbols and Footprints

  • DS1647-120
  • DS1647P-120
  • デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

    注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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    関連リソース


    MAX31341B
    低電流、リアルタイムクロック、I2Cインタフェースおよびパワーマネージメント内蔵

    • バッテリ寿命を延長
    • 柔軟な設定自由度を提供
    • 基板スペースを節約

    MAX31342
    低電流、リアルタイムクロック、I2Cインタフェース内蔵

    • バッテリ寿命を延長
    • 柔軟な設定自由度を提供
    • 基板スペースの削減