製品の詳細
主な特長
アプリケーション/用途
Gate Drive Range (V) | 0.1 to AVDD-0.1 |
VBIAS Clamp | Yes |
# Channels | 2 |
High-Side Current Sense Gain | 2 @ 32V |
Loop Control | Internal LUTs |
Lookup Table Index | Temperature Voltage |
Lookup Table Memory | Nonvolatile |
Interface | I2C SPI |
ADCs | 12-bit |
DACs | 12-bit |
Reference | External Internal |
Temp. Sensor | External Internal |
AVDD (V) (min) | 5.25 |
DVDD (V) (min) | 5.25 |
Package/Pins | TQFN HYBRID/48 |
Budgetary Price (See Notes) | 9.24 |
簡易ブロック図
Technical Docs
データシート | 不揮発性メモリ内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ | Dec 08, 2008 | |
アプリケーションノート | Implementing a MAX1385-Based Control Loop in C/C++ |
サポートとトレーニング
技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。
絞り込まれた検索マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。
サンプルについて:
サンプルは、外部のADI Sample Siteでのご注文となります。選択したパーツはSample Siteログイン後、カートに引き継がれます。Sample Siteを初めて使用する際は、アカウント登録をお願いいたします。Sample Siteに関するご質問は、SampleSupport@analog.comまでお問合せください。
パラメーター
Gate Drive Range (V) | 0.1 to AVDD-0.1 |
VBIAS Clamp | Yes |
# Channels | 2 |
High-Side Current Sense Gain | 2 @ 32V |
Loop Control | Internal LUTs |
Lookup Table Index | Temperature Voltage |
Lookup Table Memory | Nonvolatile |
Interface | I2C SPI |
ADCs | 12-bit |
DACs | 12-bit |
Reference | External Internal |
Temp. Sensor | External Internal |
AVDD (V) (min) | 5.25 |
DVDD (V) (min) | 5.25 |
Package/Pins | TQFN HYBRID/48 |
Budgetary Price (See Notes) | 9.24 |
主な特長
- LDMOSバイアス特性を保存するための4Kb EEPROM内蔵
- 利得が2、10、または25のハイサイド電流検出PGA内蔵
- 検出電圧範囲(+75mV~+1250mV)の精度:±0.75%
- フルスケール検出電圧
- +100mV:利得25
- +250mV:利得10
- +1250mV:利得2
- コモンモード範囲、LDMOSドレイン電圧:+5V~+32V
- 可変、低ノイズ、出力ゲートバイアス電圧範囲:0~AVDD
- AGNDへの高速クランプによるLDMOS保護
- 温度によるゲートの12ビットDAC制御
- 内部ダイ温度測定
- リモートダイオードによる2チャネル外部温度測定
- 内部12ビットADC測定による温度、電流、および電圧の監視
- ユーザ選択可能なシリアルインタフェース
- 400kHz/1.7MHz/3.4MHz I²C対応インタフェース
- 16MHz SPI/MICROWIRE対応インタフェース
アプリケーション/用途
- セルラ基地局
- フィードフォワードパワーアンプ
- 産業用プロセス制御
- マイクロ波無線リンク
- トランスミッタ
説明
MAX11008は、2つのゲートドライブチャネルを備え、各チャネルはLDMOSデバイスをバイアスする正ゲート電圧を生成する12ビットDACで構成されています。各ゲートドライブ出力は、最大±2mAのゲート電流を供給します。ゲートドライブアンプは、±25mAに電流制限され、AGNDへの高速クランプを特長としています。
MAX11008は、LUTおよびレジスタ情報を保存するための、256ビット x 16ビットとして構成された、4Kbの不揮発性EEPROMを内蔵しています。このデバイスは、4線式16MHz SPI™/MICROWIRE™対応、またはI²C対応のシリアルインタフェースのいずれでも動作します。
MAX11008は、電源電流が2mA (typ)の+4.75V~+5.25Vアナログ電源、および電源電流が3mA (typ)の+2.7V~+5.25Vディジタル電源で動作します。このデバイスは、7mm x 7mmの48ピンTQFNパッケージで提供され、-40℃~+85℃の拡張温度範囲で動作します。
Technical Docs
データシート | 不揮発性メモリ内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ | Dec 08, 2008 | |
アプリケーションノート | Implementing a MAX1385-Based Control Loop in C/C++ |
サポートとトレーニング
技術質問への回答についてはナレッジベースで検索ください。
絞り込まれた検索マキシムでは、お客様の技術的質問にお答えするため、アプリケーションエンジニアの専任チームも配置しています。 サポートセンター をご利用ください。
サンプルについて:
サンプルは、外部のADI Sample Siteでのご注文となります。選択したパーツはSample Siteログイン後、カートに引き継がれます。Sample Siteを初めて使用する際は、アカウント登録をお願いいたします。Sample Siteに関するご質問は、SampleSupport@analog.comまでお問合せください。