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デュアル不揮発性(NV)デジタルポテンショメータおよびセキュアメモリのDS1855は、1つの100ポジションリニアテーパポテンショメータ、1つの256ポジションリニアテーパポテンショメータ、256バイトのEEPROMメモリ、および2線式インタフェースで構成されています。新しいソフトウェア書込み保護機能を備えたDS1855は、DS1845のアップグレード版です。DS1855は、制御アプリケーションにおけるバイアス電圧とバイアス電流の設定を最小限の回路で実現する理想的な方法を提供します。EEPROMメモリによって、特定システムやデバイスに関する設定データとキャリブレーションデータを保存することができ、同様にポテンショメータのワイパ設定を制御することができます。どんな種類のユーザー情報も、このメモリの最初の248バイトに保存できます。EEPROMメモリの次の2つのアドレスはポテンショメータの設定値用で、残り6バイトのメモリは予備です。これらの予備レジスタとポテンショメータレジスタは、データの保存に使用できません。このEEPROMへのアクセスには、業界標準の2線式バスを用います。インタフェースのI/Oピンは、SDAとSCLから成ります。DS1855のワイパ位置は、EEPROMデータと同様、書込み保護入力ピン(WP)を用いたハードウェア書込み保護か、2線式インタフェースを用いてソフトウェアにより書込み保護されます。