DS1846

NVトリプルポテンショメータ、メモリおよびMicroMonitor


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説明

NVトリプルポテンショメータ、メモリおよびMicroMonitor™の DS1846は、2つの10kΩの100ポジション直線テーパポテンショメータ、1つの100kΩの256ポジションリニアテーパポテンショメータ、256バイトEEPROMメモリ、およびMicroMonitorで構成されています。このデバイスによって、制御アプリケーションにおけるバイアス電圧とバイアス電流の最適設定が、最小限の回路で実現できます。

EEPROMメモリに、ユーザは特定のシステムやデバイスに関する設定データやキャリブレーションデータを保存でき、ポテンショメータのワイパ設定値を制御できます。どんな種類のユーザ情報も、このメモリの最初の248バイト(00h~F7h)に保存できます。メモリの次の3バイト(F8h~FAh)はポテンショメータの設定値用であり、EEPROMメモリの5つの最終アドレス(FBh~FFh)は予備です。これらの予備レジスタとポテンショメータレジスタは、データの保存に使用できません。このEEPROMへのアクセスは、業界標準の2線式バスを用います。インタフェースI/Oピンは、SDAとSCLです。DS1846のワイパ位置は、EEPROMデータと同様、WP入力ピンを用いてハードウェアによる書込み保護ができます。

MicroMonitorは、温度補償された高精度のリファレンスとコンパレータで構成され、マイクロプロッセサに関するきわめて重要な特定のステータス状態をモニタします。センス入力が許容範囲(VCCの)から外れた状態を検出すると、マスクなし割込みが発生します。デバイスの電圧が低下すると、内部電源障害信号が発生してプロセッサをリセットします。VCCが許容範囲内のレベルに復帰すると、電源とプロセッサの安定のために、リセット信号は、tRST以上の時間アクティブな状態を維持します。また、MicroMonitorには、プッシュボタンによるリセット制御機能があります。プッシュボタン入力は、内部で振動抑制され、最小パルス幅tRSTのアクティブパルスを発生します。
DS1846:標準アプリケーション回路 DS1846:標準アプリケーション回路 拡大表示+

主な特長

  • 3個のリニアテーパポテンショメータ
  • 2個の10kΩ、100ポジション
  • 1個の100kΩ、256ポジション
  • 248バイトのユーザEEPROMメモリ
  • マイクロプロセッサ電源、電圧検出、および外部からのオーバーライドを監視
  • 2線式インタフェースによる、データとポテンショメータ制御にアクセス
  • データとポテンショメータ設定値を保護するための外部書込み保護(WP)ピン
  • 5V電源で動作
  • ワイパ位置の保存(不揮発性(NV))
  • パッケージ:20ピンTSSOP
  • プログラミング温度:0℃~+70℃
  • 工業用動作温度:-40℃~+85℃

技術資料

アプリケーションノート 4051 アナログ電圧を使用したディジタルポテンショメータの制御
アプリケーションノート 3317 Adding Windows NT/2000/XP Support to the AN3315 Parallel-Port 2-Wire Software
アプリケーションノート 1769 光トランシーバのライトショーの裏側
アプリケーションノート 1010 Methods of Controlling Laser Drivers: POTs and DACs
アプリケーションノート 235 Using Spare NV Digital Pots as NV Digital Configuration Bits

品質および環境データ

製品の信頼性レポート: DS1846.pdf 
鉛フリーパッケージの錫(Sn)のウィスカレポート
デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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関連リソース