DS1323

3.3Vフレキシブル不揮発性コントローラ、リチウムバッテリモニタ内蔵

容易に最大4つのSRAMを不揮発性にすることが可能


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説明

リチウムバッテリモニタ内蔵のフレキシブル不揮発性コントローラのDS1323は、CMOS SRAMを不揮発性メモリに変換するアプリケーション問題を解決するCMOS回路です。受電電力は、許容範囲外の状態が監視されます。この状態が検出されると、チップイネーブル出力が禁止されて書込み保護を実行し、バッテリがオンになり無停電電源をSRAMに給電します。特別の回路によって、超低バッテリ消費で高精度な電圧検出を提供する低リークCMOSプロセスが使用されます。1つのDS1323で、3つのメモリ構成のいずれの場合も最大4つのSRAMをサポートすることができます。

バッテリバックアップサポートに加え、DS1323は、リチウムバッテリの残容量を監視し、バッテリが寿命に達する前に警告を送出する重要な機能を実行します。リチウムバックアップバッテリのオープン回路電圧は、寿命の大部分で相対的に一定した状態を維持するため、正確なバッテリ監視には負荷時のバッテリ電圧測定が必要となります。DS1323は、バッテリが内部抵抗性負荷をサポートしている時の電圧を定期的に厳選されたリファレンス電圧と比較することによって、この測定を実行します。この状態のときにバッテリ電圧がリファレンス電圧以下に低下すると、バッテリは間もなく寿命に達します。その結果、バッテリ警告ピンがアクティブになり、バッテリ交換の必要を通知します。
DS1323:ファンクションブロックダイアグラム DS1323:ファンクションブロックダイアグラム 拡大表示+

主な特長

  • CMOS SRAMを不揮発性メモリに変換
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害の発生時にバッテリバックアップへの自動切換え
  • フレキシブルなメモリ構成
    • モード0:4バンク x 1 SRAM
    • モード1:2バンク x 2 SRAM
    • モード2:1バンク x 4 SRAM
  • リチウムセルの電圧を監視し、差し迫ったバッテリ障害の事前警告を通知
  • アクティブロー警告出力信号で低バッテリ状態を通知
  • 電源障害の発生時にプロセッサをリセットし、システムのパワーアップ時にプロセッサをリセット状態に維持
  • 10%パワーフェイル検出
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃

技術資料

アプリケーションノート 3254 Battery Monitoring in NV SRAM Modules
アプリケーションノート 202 NV SRAM Frequently Asked Questions
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デバイス   ウェハープロセス   プロセス技術   サンプルサイズ   不合格   FIT (25°C)   FIT (55°C)   Material Composition  

注: 不良率はプロセス技術ごとにまとめられ、関連する型番にマッピングされます。 不良率はテストされたユニット数に大きく依存します。

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関連リソース

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