電気/電子用語および定義:T

0-9ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
T/H Track/Hold (トラック/ホールド)。
T/R Transmit/Receive (送信/受信)。
T/s 参照:Transfer
T1 米国におけるデジタル伝送規格。1.544Mbps容量を持つデジタル伝送リンク。ほとんどの住宅に見られるのと同様の2対の標準ツイスト線がT1に使われる。T1では通常、24個の音声会話が、各64kbpsでデジタル化され、処理される。より高度なデジタル音声符号化技術では、T1はさらに多くの音声チャネルを扱うことが可能。
T1 Framer 参照:Framer
T3 44Mbpsでデジタル信号を伝送することができるデータ接続の1種。T3ラインは、インターネットを形成するような大型コンピュータネットワークとリンクするために使われることが多い。
Tach 参照:Tachometer
Tachometer タコメータ:シャフトの回転速度を測定するために使用されるトランスデューサ。
TAD Total Accumulated Discharge (総積算放電量(mA-hr))。
tank circuit 参照:Resonant Circuit
Taper テーパ:ポテンショメータにおいてテーパはポテンショメータの電機子が回転する際に(あるいは、スライドポテンショメータではワイパがスライドする際、DS1802のようなソリッドステートポテンショメータでは入力電圧が変化する際)抵抗がどう変化するかを示すもの。

リニアテーパ付きのポテンショメータでは、ワイパが動くと抵抗がリニアに変化する。

対数(ログ)テーパ付きのポテンショメータでは、抵抗はワイパの動きとともに対数的に変化する。アンプ回路で使用された際、ポテンショメータがローエンドで動作すると出力はゆっくりと変化し、ポテンショメータがハイエンドに向かって動作すると出力はより高速に変化する。

これは、オーディオボリューム制御によく使用されるのでオーディオテーパとも呼ばれる。耳は対数的に反応する(信号の二重化はそれぞれボリュームにおける同等ステップとして解釈される)。耳は低ボリュームで変化に対しより敏感である一方、オーディオボリューム制御はより低設定においてゆっくりと信号を変化させ、高設定においてより高速に変化させる。純効果としてはポテンショメータの範囲ではサウンドがよりスムーズに変化する印象を与える。

受け取られるボリュームは主観的であり正確ではないので、真の対数ポテンショメータの代わりに概算値が使用される場合がある:アプリケーションノートAN 3996AN 838 (English only)、AN 1828 (English only)を参照。

TC Temperature Coefficient (温度係数); TURBOCHARGE (制御ビット)。
TCP/IP Transmission Control Protocol/Internet Protocol (伝送制御プロトコル/インターネットプロトコル):インターネット上で通信するためにコンピュータが使用するプロトコルまたは規定。
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillator (温度補償水晶発振器):より一定の周波数を保つために温度変化に対して補償する回路を含む水晶発振器。
Td-SCDMA 参照:TDSCDMA
TDD Time Division Duplex (時分割デュープレクス):高トラフィック密度に対応することが必要な屋内環境に特に適したWCDMAの第2のバリエーション。
TDD WLAN 参照:TDD
TDD-WCDMA 参照:TDD
TDM Time Division Multiplexing (時分割多重化):単一通信ラインまたはチャネルを使って多くの信号を組み合わせて伝送する方式。各信号は多くのセグメントに分けられ、各々は短い時間を占有する。
TDMA Time Division Multiple Access (時分割多重アクセス):デジタルワイヤレス通信伝送方式。TDMAによって多くのユーザは、各チャネルに対して各ユーザにユニークな時間スロットが割り当てられるため、干渉なしで単一無線周波数に(順に)アクセスすることができる。
TDMoIP 参照:TDMoP
TDMoP TDMoP (TDM over Packets)またはTDMoIP (TDM over IP):パケットスイッチングネットワークにおけるTDMの実装。TDMoIPはRAD Communicationsの商標。

参照:

TDR
Time-Delay Relay (時間遅延リレー)
Time-Domain Reflectometry (時間領域反射測定)
TDSCDMA 中国の第3世代(3G)電気通信規格。中国政府によって3つの周波数帯が割り当てられた:1880MHz~1920MHz、2010MHz~2025MHz、および2300MHz~2400MHz。
TEC Thermoelectric Cooler (熱電クーラー):TECは、ペルチェ接合による小型冷却デバイス。ペルチェ接合(J. C. Peltierが1833年に発見)は、異なる材料でつくられた2つの導体から成り、電流がペルチェ素子を通過する際に冷却または加熱させるヒートポンプとして動作する。

TECは小型サイズであるため、光ファイバレーザドライバ、高精度電圧リファレンス、または温度管理が重要となるデバイスなどの個別部品の高精度温度制御が可能になる。温度が重要となる部品は、TECおよび温度モニタとともに、単一の熱工学設計モジュールに集積される。

「Thermoelectric Controller (熱電コントローラ)」 (略称TEC)は、接合部を駆動する電流を制御する電子回路。これらは非常に高性能になりうる。多くは、正または負電流を駆動(すなわち加熱または冷却が行える)し、PWMを使い効率を上げ、電流量を安定化させる制御機能も備えることが可能。下記リンクはこのような回路の例。

参照:App Note 3318, HFAN-08.2.0: Thermoelectric Cooler (TEC) Control (English only)

TEDS 参照:Transducer Electronic Data Sheet
Television テレビ:主にNTSC、PAL、またはHDTV規格によって、遠隔地に画像と音声を伝送するシステム。

参照:Video Basics (English only)

Temp 参照:Temperature
Temp Sensor 参照:Analog Temperature Sensor
Tempco Temperature Coefficient (温度係数)。
Temperature 温度:暖かさや冷たさとして感じ取られる、身体や物質の原子または分子の平均動的エネルギー。摂氏、華氏、またはケルビンで測定され、単位は度で表される。

参照:マキシムのサーマル管理ICの製品ラインページ

Temperature Comparator 温度コンパレータ:測定された温度があらかじめ決められたスレッショルドを越えるか、越えないかを表示するデジタル出力を備える集積回路。
Temperature Compensated Crystal Oscillator 参照:TCXO
Temperature Control 参照:Thermal Management
Temperature Management 参照:Thermal Management
Temperature Resistor 参照:Thermistor
Temperature Sensor 温度センサ:センサの外の(例えば、回路ボード上またはCPUチップ上)温度を計測する検出素子として外付けダイオード接続トランジスタを使用する温度センサ。一般的にデジタル出力が生成される。
Temperature Shutdown 参照:Thermal Shutdown
Temperature Switch 温度スイッチ:温度に基づいて導電性経路を開いたり閉じたりする回路。
Tesla テスラ(短縮形はT):磁束密度(Bフィールド)の測定単位。発明エンジニアのNikola Teslaに由来する名称。
TFT Thin-Film Transistor (薄膜トランジスタ)。
THB Temperature/Humidity Bias (温度/湿度バイアス)。
THD Total Harmonic Distortion (全高調波歪み):元の信号の高調波上で発生するエネルギを評価する信号歪みの測定値。信号振幅のパーセンテージで値として規定される。

例えば、12kHzの信号が入力に与えられた場合、THDは24kHz、36kHz、48kHzなど出力で発生するエネルギを測定して、それを12kHzで発生するエネルギと比較する。

THD+N Total Harmonic Distortion Plus Noise (全高調波歪み + ノイズ):2つの最も重要な歪み成分の和。THDは元の信号の高調波上で発生する歪みであり、信号と相関がある。ノイズは、よりランダムで、相関性のない歪みである。THD+Nはそれらの合計である。
Thermal Control 参照:Thermal Management
Thermal Control Circuit 熱制御回路:ある部品の温度を監視し制御する回路。例としてIntelプロセッサに内蔵された温度コントローラが挙げられる。
Thermal Management 熱管理:ICの全体温度および内部キャビネット温度を制御するために、プロセッサまたはFPGAベースのシステム内で温度監視デバイスや冷却方式(例えば強制空冷)を使うこと。
Thermal Monitor 温度モニタ:Intelプロセッサデバイスが備える集積化温度制御システム。
Thermal Resistance

Thermal resistance is a measurement of a material’s or a component’s resistance to heat flow. It is the reciprocal of thermal conductance, which is the ability to conduct heat. Thermal resistance is used in PCB circuit design to measure a package’s heat dissipation and avoid overheating.

There are two values related to thermal resistance that refer to a material’s ability to conduct heat versus a component’s ability to conduct heat: specific thermal resistance and absolute thermal resistance.

How is thermal resistance measured?

Specific thermal resistance (Rλ) is a material constant, measured in K∙m/W or ft2∙h∙oF/Btu, that is useful for comparing materials. It is the reciprocal of the material’s thermal conductivity, and is the absolute thermal resistance per unit area. An R-value is the specific thermal resistance, given in British units of degree Fahrenheit square-foot hour per British thermal unit (ft2∙h∙oF/Btu). For example, a thermal resistance given as R-1 means 1 ft2∙h∙oF/Btu. When using the SI units of kelvin meters per watt K∙m/W, this value is denoted as the RSI-value.

Absolute thermal resistance (Rθ), measured in kelvins per watt (K/W) or degrees Celsius per watt (oC/W), is a property of a determined quantity of a material. Once a material and size have been chosen, absolute thermal resistance is the measure of that component’s ability to resist heat flow. Absolute thermal resistance is an extensive property, meaning it depends on the amount of the material.

Thermal resistance is an important value in PCB circuit design to prevent overheating. IC manufacturers specify a device’s junction-to-ambient thermal resistance (θJA), which is a measurement of absolute thermal resistance and is usually given in oC/W. Other values that are sometimes used are junction-to-case thermal resistance (θJC) and case-to-ambient thermal resistance (θCA). See App Note 3500: Monitor Heat Dissipation In Electronic Systems by Measuring Active Component Die Temperature for how to measure θJA, and Tutorial 4083: IC Package Thermal Resistance Characteristics for more on θJA, θJC, and θCA.

Thermal Shutdown サーマルシャットダウン:測定温度があらかじめ決定された値を超えると回路の動作を停止する。
Thermal Switch 参照:Temperature Switch
THERMDA Thermal Diode Anode Pin on AMD and Intel Processors (AMDおよびIntelプロセッサ上のサーマルダイオードアノード端子)。
THERMDC Thermal Diode Cathode Pin on AMD and Intel Processors (AMDおよびIntelプロセッサ上のサーマルダイオードカソード端子)。
Thermistor サーミスタ:通常、焼結した半導体材料を成分とする大きい温度係数を持つ温度依存性の高い抵抗。
Thermochron Thermochronデバイスは温度を測定し記録(ログ)するデバイス。(ThermochronはMaxim Integratedの商標)
Thermochron i-Button 参照:Thermochron
Thermochron iButton 参照:Thermochron
Thermocouple 熱電対:2つの異なる金属の接合によって形成される温度センサ。熱い接合部と接続線(冷たい)接合部との間の温度の違いに比例する電圧出力を発生する。
thermoelectric cooler 参照:TEC
Thermostat サーモスタット:測定された温度が、特定の温度スレッショルドまたはトリップポイントを超えるか、または下回るかを示す回路。サーマル保護および簡単な温度制御システムで使用される。
THERMTRIP 参照:THERMTRIP#
THERMTRIP# Intel Pentiumプロセッサの温度トリップデジタル出力の端子名。この端子は公称チップ温度135℃でアサートされる。
THERMTRIP_L AMDプロセッサの温度トリップ出力の端子名。この端子は公称チップ温度125℃でアサートされる。
Thin-QFN 参照:TQFN
THINERGY MEC 参照:Micro Energy Cell
Third Order Input Intercept Point 参照:IIP3
Third Order Intercept Point 参照:IIP3
Three-State 3ステート、またはTri-State™出力は、1、0、および「Hi-Z」、または「オープン」の3つの電気的状態を備える。Hi-Z状態は、出力が切断され信号がオープンのままにされ、他のデバイスによって駆動される(または未定義状態を避けるために提供される抵抗によってプルアップまたはプルダウンされる)ハイインピーダンス状態のこと。

3ステートなどのハイインピーダンス方式はバスによく使われる。バスを駆動するために複数のデバイスを選択することができる。

Tri-State™はNational Semiconductorの商標です。

Through-Hole スルーホール(部品穴):プリント回路基板(PCB)に部品を実装するための方法で、部品のピンは基板にある穴に挿入されて半田付け固定される。
TIA 参照:Transimpedance Amplifier
TIM 参照:Transient Intermodulation Distortion
Time Diversity 時間ダイバーシティ:無線システムにおいて、時間ダイバーシティは、異なる時間スロットに複数の信号バージョンを置くことで複数チャネルに信号を広げる。
Time Division Multiple Access 参照:TDMA
Time Division Multiplexing 参照:TDM
Time of Flight

Time of flight is the measurement of time taken to travel a distance in order to determine distance, speed, or properties of the medium. Time for a signal to reflect off an object is often measured to determine the object’s location.

How is time of flight calculated?

Consider a time of flight example consisting of a light and sensor on one end and an object on the other. A pulse of light travels to the object, is reflected off of it, and returns to a sensor right next to where the light originated:

Time of flight example

By definition, speed (s) is the distance travelled (d) divided by the time taken (t): s=d/t

The speed of light is referred to as c. The total distance travelled is the distance from the sensor to the object (x) plus the trip back from the object to the sensor (also x), so the total distance travelled is 2x.

Rearranging the equation for speed and inserting our values for distance and speed, we get x=ct/2

Since the speed of light is a known value (approximately 300 million m/s), by measuring the time it takes for light to travel to an object and back, we’re able to measure how far away the object is. This is the basic idea behind a time-of-flight camera.

Using light to measure distance is a common application, but this same idea can be generalized to any object or wave travelling at any speed, through any medium, and the source and sensor do not need to be next to each other. The time of flight principle could then be used to determine properties of the medium, or measure an unknown velocity travelling a known distance.

Is LiDAR time of flight?

LiDAR (light detection and ranging) uses ToF by emitting laser light pulses in multiple directions and measuring return time in order to detect objects. In addition to measuring return time, LiDAR may also measure the energy of the reflected light in order to create the detail in its distance map of the surrounding objects.

Learn More:

Timing Distortion 参照:Jitter
Tin Whiskers Tin whiskers (錫ウィスカ):Snウィスカまたは金属ウィスカとも呼ばれる。純粋な錫(特に電気めっきされた錫)の表面から自然に出る微小で、伝導性のある髪状のような結晶のこと。ウィスカは、純金属に主に形成するが、合金でも見られる。結晶はあらゆる環境で形成する。生成の実際のメカニズムはよく分かっていない。

錫鉛(SnPb)仕上げは錫ウィスカを防止する。マキシムは、非RoHS仕上げを必要とするお客様にSnPbソリューションを提供している。実質上すべての鉛フリー製品に提供される。

錫ウィスカはデンドライトではない。デンドライトというのは、湿気のある環境で金属の表面に発生するシダのようなもの。錫ウィスカは表面から直角に成長する傾向がある。

参照:

TINI
TINI®は、民生エレクトロニクス市場向けのマキシムの高集積ソリューションファミリの商標。このファミリには異なる機能を集積化して基板スペースを削減するICも含まれる。以下は例。
  • TINIパワーSoCは電力アプリケーションおよびベースバンドプロセッサに加え、オーディオ、バッテリ管理やタッチスクリーン制御などのミックスドシグナル機能に必要な機能ブロックをすべて集積化。これらのパワーSoCによって、携帯プラットフォームシステムの設計者はアナログの実装面積を半分にすることができる。
  • TINIオーディオコーデック(MAX98089、MAX98095)は、複数の高性能オーディオブロックとマキシム独自のFlexSound®プロセッサを組み合わせている。これらのオーディオコーデックで、設計者は最高のオーディオ体験を提供すると同時に携帯製品の集積化の課題を解決することができる。
  • TINIタッチスクリーンコントローラSoC (MAX11871)は、業界最高のSNR静電容量式タッチアナログフロントエンド(AFE)、完全バックエンド処理用MAXQ® CPU、およびカスタムDSPコプロセッサを集積化。超ナローバンドAFEの集積化で、外付け部品の必要なく、ACチャージャとLCDノイズへの画期的な耐性を提供。
TINIはMaxim Integratedの登録商標です。
注:Tiny Network Interface回路は現在MxTNIといいます。
TLA Three-Letter Acronym (3文字略語)。
Total Harmonic Distortion 参照:THD
Total Harmonic Distortion Plus Noise 参照:THD+N
Totem Pole トーテムポール:PチャネルMOSFETが直列にNチャネルMOSFETに接続され、この2つの間の接続点が出力である標準CMOS出力構成。P-FETが「トーテムポール」のようにN-FETの上に置かれる。両ゲートは、同じ信号によって駆動される。信号がローのときP-FETはオン、信号がハイのときN-FETはオン。このことによって、わずか2つのトランジスタでプッシュ/プル出力が生成される。
TouchTone 参照:DTMF
TQFN 厚さ0.8mmのQFNパッケージの薄型バージョン(JEDECの「W」オプション)。
TQFP Thin Quad Flat Pack (薄型クワッドフラットパック)。
Transceiver トランシーバ:トランスミッタおよびレシーバ両方を含むデバイス。

よくあるスペリングミス:Transciever、Tranceiver、Transeiver、Transiever、Tranciever、Transcever

例:

Transconductance トランスコンダクタンス:トランスコンダクタンスアンプ(入力電圧の変化がリニアに出力電流変化となって現れるアンプ)の利得。真空管およびFETの基本利得はトランスコンダクタンスで表現される。記号gmで表現される。

この用語は「transfer conductance (伝達コンダクタンス)」から来ており、ジーメンス(S)という単位で測定される。1ジーメンスは1アンペア/ボルト。以前は「mho」 (ohmを逆からつづったもの)と表記されていた。

Transconductance Amplifier トランスコンダクタンスアンプ:電圧を電流に変換するアンプ。その他いくつかの用語でも知られている(同義語(Synonym)を参照)。同義語の1つにOTA (Operational Transconductance Amplifier:オペレーショナルトランスコンダクタンスアンプ)があり、トランスコンダクタンスアンプとオペアンプが合体した用語。

この用語は「Transfer Conductance (伝達コンダクタンス)」から来ており、ジーメンス(S)という単位で測定される。1ジーメンスは1アンペア/ボルト。記号gmで表現される。真空管およびFETの基本利得はトランスコンダクタンスとして表現される。

参照:Transimpedance Amplifier Buffers Current Transformer (English only)

Transducer Electronic Data Sheet トランスデューサエレクトロニックデータシート(TEDS):TEDSは、センサの較正情報がデバイス内に保存され、要求があればマスタコントローラにダウンロードされる、プラグアンドプレイセンサとトランスデューサ接続の1方式。標準化されたTEDS規格はIEEE P 1451.4と同様にIEEEによって開発されている。
Transfer 伝送:
伝送は、データをエンコードするために使われる余分ビットを除いた、デジタルインタフェースで伝送されるデータ量を指す。

データ伝送数は、エンコードデータのビット数が粗データよりのビット数よりも多い場合、送られるビット数よりも少ない。例として、PCIeシリアルバスは10ビットを使ってデータ8ビットをエンコードする。(余分のビットスペースが、クロック、エラー検出冗長性などをエンコードするために使用される場合がある)

データレートは、一般的にtransfers per second、gigatransfers per second (GT/s)およびmegatransfers per second (MT/s)で表現される。

transfer rate 参照:Transfer
Transformer トランス:交流電流の電圧を変えるための誘導電気デバイス。

トランスは2つの磁気結合コイルから成る。一方の磁気結合コイル(「プライマリ」という)の交流電流はもう一方のコイル(「セカンダリ」という)の電流を誘導する変動磁場をつくる。鉄またはフェライトからなるコアは通常2つのコイルに繋がるが、鉄のコアなしで高周波数デバイスは動作可能。

トランスには2つの主機能がある:電圧トランスと絶縁:

  • セカンダリの電圧はプライマリを駆動する電圧よりも高いあるいは低く、2つのコイルの巻線比によって決定される。
  • 絶縁はコイルが磁場によってのみ接続されているという事実によるため、共通グランドとは独立しうる。

プライマリのアプリケーションは電力および信号絶縁/インピーダンストランス用。

自動トランスは変化する出力電圧に影響を及ぼす中間「タップ」を備えた単一コイルのトランス。

トランスの容量はKVA (キロボルトアンペア)で測定される:ボルト x アンペア/1000。

Transient Intermodulation Distortion 過渡相互変調歪み(TIM):信号遅延によってアンプが、高速過渡信号にさらされたときに歪みを修正できない場合に負フィードバックを採用するアンプで生じる。
Transient Voltage Suppressor 参照:TVS
Transimpedance Amplifier トランスインピーダンスアンプ:電流を電圧に変換するアンプ。ファイバ通信モジュールでよく使用される部品。

トランスレジスタンスの単位はオーム。

参照:Transimpedance Amplifier Buffers Current Transformer (English only)

Transistor トランジスタ:基本的なソリッドステート制御デバイスで、2端子間の電流フローを3番目の端子に与えられる電圧または電流によって可能または不可能にする。

通常、シリコンから作られるが、その他の半導体材料からも作ることができる。主に次の2種類がある:FET (電界効果トランジスタ)およびバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)。

初のトランジスタは、1947年にMichael John Bardeen、Walter BrattainとWilliam Shockleyによって、ベル研究所で発明された。

Transistor Sensor 参照:Remote Temperature Sensor
Transistor Temperature Sensor 参照:Junction Diode Sensor
Transmission Control Protocol/Internet Protocol 参照:TCP/IP
Transmission Gate 参照:Analog Switch
Transmitter トランスミッタ:信号またはデータを受け取りそれらを媒体を通じて送信可能な形式(通常長距離伝送)に変換する回路。媒体はワイヤレスまたは有線。

例:

  • キャリア上の信号を変調しエアウェーブを通じて伝送する無線トランスミッタ
  • 超音波周波数で信号を送信する超音波トランスデューサ
  • バックプレーンを駆動するラインドライバ
  • インタフェースを駆動する回路(例:USB、シリアル、LVDS)
  • 光パルスを放つ光ファイバデバイス
Transresistance Amplifier 参照:Transimpedance Amplifier
trr 参照:Reverse Recovery Time
TS 16949 TS 16949は、ISO技術仕様で、グローバルな自動車産業の中の以前のアメリカ(QS-9000)、ドイツ(VDA6.1)、フランス(EAQF)およびイタリア(AVSQ)など自動車品質システム規格に沿う仕様である。ISO 9001:2000とともにISO/TS 16949:2002は、自動車関連製品の設計/開発、製造、導入、およびサービスにおける品質システム要件を定めている。
TS-16949 参照:TS 16949
TSOC Thin Small-Outline C-lead (薄型スモールアウトラインC-リード)。
TSOP Thin Small-Outline Package (薄型スモールアウトラインパッケージ)。
TSSM Temperature Sensor and System Monitor (温度センサおよびシステムモニタ)。
TSSOP Thin Shrink Small-Outline Package (薄型シュリンクスモールアウトラインパッケージ)。
TTC 温度変換サンプル時間。
TTFC フル充電までの残存時間。
TTIMD Two-Tone Intermodulation Distortion (2トーン混変調歪み)。
TTL Transistor-to-Transistor Logic (トランジスタ-トランジスタロジック)。
Tube Motor 参照:Tubular Motor
Tubular Motor 管状モータ:円筒形状に組み込まれる電気モータ。窓用のロールスクリーンとブラインド、プロジェクタスクリーン、オーニング、シャッターなどに使われる。
TUE Total Unadjusted Error (総合未調整誤差)。
tuned circuit 参照:Resonant Circuit
TV 参照:Television
TVM Test Vector Monitor (テストベクトルモニタ)。
TVS Transient Voltage Suppressor (トランジェント電圧抑制回路):一時的な電圧および電流から回路を保護するように設計された半導体デバイス。通常、大電流を即座に吸収するアバランシェモードで動作する大型シリコンダイオードとして実現される。
Tweak Tweak/Tweek(微調整)は、システムに小さな調整を施し性能を向上させることを意味する。
Twisted-Pair 参照:Differential Signaling
Tx Transmit (送信)。