例:pチャネルJFETは、1端に「ドレイン」、もう1端に「ソース」を持つpタイプシリコンの導通路によって構成。この両端間は「ゲート」として接続されたnタイプでできている。このゲートに印加された正電圧は「反転空乏層」を作り、ソースとドレイン間の電流を制限する。
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