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主要特征
应用/用途
Parametric specs for Full/Half-Bridge MOSFET Drivers
Driver (High Side) | Inverting Non-Inverting |
Driver (Low Side) | Inverting Non-Inverting |
High Side Voltage (V) (typ) | 125 |
VSUPPLY (V) | 8.0 to 12.6 |
ISOURCE / ISINK (A) (peak) | 2 / 2 |
tPD (ns) (typ) | 30 |
Logic Input | CMOS |
Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
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Technical Docs
数据资料 | 125V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器 | Dec 11, 2007 |
支持和培训
采样:
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参量
Parametric specs for Full/Half-Bridge MOSFET Drivers
Driver (High Side) | Inverting Non-Inverting |
Driver (Low Side) | Inverting Non-Inverting |
High Side Voltage (V) (typ) | 125 |
VSUPPLY (V) | 8.0 to 12.6 |
ISOURCE / ISINK (A) (peak) | 2 / 2 |
tPD (ns) (typ) | 30 |
Logic Input | CMOS |
Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
主要特征
- HIP2100/HIP2101引脚兼容(MAX5062A/MAX5063A)
- 高达125V的输入
- 8V至12.6V VDD输入电压范围
- 具有供出、吸取2A峰值电流的驱动能力
- 35ns的典型传输延迟
- 确保驱动器之间保持8ns以内的传输延时匹配度
- 可编程的先断后合时序(MAX5064)
- 驱动100nC栅极电荷时具有1MHz的开关频率(MAX5064)
- 提供带滞回的CMOS (VDD / 2)或TTL逻辑电平输入
- 最大15V逻辑输入,与输入电压无关
- 2.5pF低输入电容
- 出现故障时立即断开驱动器或与PWM启-停同步(MAX5064)
- 200µA低电源电流
- 提供同相与反相驱动器的组合(MAX5062B/D与MAX5063B/D)
- 提供8引脚SO、热增强型SO以及12引脚薄型QFN封装
应用/用途
- 有源钳位正激变换器
- 全桥转换器
- 电机控制
- 电源模块
- 电信设备半桥电源
- 双开关正激变换器
描述
MAX5062/MAX5063/MAX5064是高频、125V半桥、n沟道MOSFET驱动器,在高压应用中驱动高侧和低侧的MOSFET。这些驱动器可以独立控制,输入到输出的传输延时典型值为35ns,匹配在3ns (典型值)以内。这些器件工作在高电压下,驱动器之间具有极低的传输延时,并保持较好的匹配性。采用了热增强型封装,可以供出或吸取较大电流,这些特性使其非常适合大功率、高频、电信电源转换器。输入电压范围最大值为125V,为电信设备标准的100V输入瞬态电压要求提供了充分的裕量。可靠的片上自举二极管连接在VDD与BST之间,省去了外部分立二极管。
MAX5062A/C与MAX5063A/C提供的都是同相驱动器(见完整数据资料中的选型指南)。MAX5062B/D与MAX5063B/D提供一个同相高侧驱动器和一个反相低侧驱动器。MAX5064A/B为每个驱动器提供两路输入,使驱动器既可以是反相的也可以是同相的。MAX5062A/B/C/D与MAX5064A具有CMOS (VDD / 2)逻辑输入。MAX5063A/B/C/D与MAX5064B具有TTL逻辑输入。MAX5064A/B包含先断后合控制输入,在16ns至95ns之间设定驱动器死区时间。驱动器提供工业标准的8引脚SO封装、热增强型8引脚SO封装以及12引脚(4mm x 4mm)薄型QFN封装。所有器件均工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。
MAX5062A/C与MAX5063A/C提供的都是同相驱动器(见完整数据资料中的选型指南)。MAX5062B/D与MAX5063B/D提供一个同相高侧驱动器和一个反相低侧驱动器。MAX5064A/B为每个驱动器提供两路输入,使驱动器既可以是反相的也可以是同相的。MAX5062A/B/C/D与MAX5064A具有CMOS (VDD / 2)逻辑输入。MAX5063A/B/C/D与MAX5064B具有TTL逻辑输入。MAX5064A/B包含先断后合控制输入,在16ns至95ns之间设定驱动器死区时间。驱动器提供工业标准的8引脚SO封装、热增强型8引脚SO封装以及12引脚(4mm x 4mm)薄型QFN封装。所有器件均工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。
Technical Docs
数据资料 | 125V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器 | Dec 11, 2007 |
支持和培训
采样:
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