回到顶部
产品详情
主要特征
应用/用途
Parametric specs for MOSFET Drivers
No. of Drivers | 1 |
Logic Polarity | Mixed |
RON (Ω) (max) | 0.56 |
RON (Ω) (typ) | 0.32 |
Configuration | Low-Side N Drive |
IOUT (A) (peak) | 7 |
Rise/ Fall Time @+25°C (ns) (typ) | 5/4 (1000pF) |
VSUPPLY (V) | 4 to 14 |
Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
Package/Pins | SOT23/6 |
Budgetary Price (See Notes) | 0.68 |
缩小
简化框图
Technical Docs
数据资料 | 7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器 | Feb 17, 2015 |
支持和培训
采样:
选择上方“样片”按钮将重定向至第三方ADI样片网站。登录后,所选部件将转移到您在此网站上的购物车。如果您之前从未使用过此网站,请创建一个新帐户。有关此样片网站的任何问题,请联系SampleSupport@analog.com。
参量
Parametric specs for MOSFET Drivers
No. of Drivers | 1 |
Logic Polarity | Mixed |
RON (Ω) (max) | 0.56 |
RON (Ω) (typ) | 0.32 |
Configuration | Low-Side N Drive |
IOUT (A) (peak) | 7 |
Rise/ Fall Time @+25°C (ns) (typ) | 5/4 (1000pF) |
VSUPPLY (V) | 4 to 14 |
Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
Package/Pins | SOT23/6 |
Budgetary Price (See Notes) | 0.68 |
主要特征
- 独立的灌出/吸收输出,便于控制上升和下降时间
- +4V至+14V单电源
- 7A/3A峰值吸收/灌出驱动电流
- 0.3Ω开漏n沟吸收输出
- 0.84Ω开漏p沟灌出输出
- 传输延迟低至8ns
- 匹配的同相和反相传输延迟
- 带有滞回的TTL逻辑电平输入,提高噪声抑制
- 输入额定电压为+14V,与V+电压无关
- 低输入电容:10pF (典型)
- 1nF负载下,具有5ns典型上升时间和4ns典型下降时间
- 热关断保护
- 6引脚SOT23封装
- -40°C至+125°C温度范围
- 引脚兼容于MAX5048B
应用/用途
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 功率MOSFET开关
- 电源模块
- 开关模式电源
描述
MAX5048C为高速MOSFET驱动器,可以提供7A/3A的吸收/灌出峰值电流。这些器件接受逻辑输入信号,可驱动大功率外部MOSFET。器件具有反相和同相输入,给用户更大的灵活性来控制MOSFET。器件还提供必要的功能,用于驱动低边增强型氮化镓(GaN) FET。他们提供两路独立的互补模式,以便设计者灵活地控制导通和关断速度。
器件内部逻辑电路能够防止输出状态变化期间的直通。逻辑输入能够承受高达+14V的瞬态电压,而与V+电压无关。同相和反相输入间的传输延迟时间已被匹配并减至最小。器件具有非常短的开关时间和传输延迟(典型8ns),非常适合于高频电路。
器件工作在+4V至+14V单电源输入,典型消耗0.5mA电源电流,支持TTL输入逻辑电平。提供6引脚SOT23封装,为MAX5048B用户提供产品升级支持。
器件内部逻辑电路能够防止输出状态变化期间的直通。逻辑输入能够承受高达+14V的瞬态电压,而与V+电压无关。同相和反相输入间的传输延迟时间已被匹配并减至最小。器件具有非常短的开关时间和传输延迟(典型8ns),非常适合于高频电路。
器件工作在+4V至+14V单电源输入,典型消耗0.5mA电源电流,支持TTL输入逻辑电平。提供6引脚SOT23封装,为MAX5048B用户提供产品升级支持。
Technical Docs
数据资料 | 7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器 | Feb 17, 2015 |
支持和培训
采样:
选择上方“样片”按钮将重定向至第三方ADI样片网站。登录后,所选部件将转移到您在此网站上的购物车。如果您之前从未使用过此网站,请创建一个新帐户。有关此样片网站的任何问题,请联系SampleSupport@analog.com。