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MOSFET驱动器和控制器 
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主要特征
应用/用途
Parametric specs for MOSFET Drivers
| No. of Drivers | 2 |
| Logic Polarity | Mixed |
| RON (Ω) (max) | 0.95 |
| RON (Ω) (typ) | 0.5 |
| Configuration | High-Side P Drive Low-Side N Drive |
| IOUT (A) (peak) | 4 |
| Rise/ Fall Time @+25°C (ns) (typ) | 6/6 (1000pF) |
| VSUPPLY (V) | 4 to 14 |
| Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
| Package/Pins | SOIC (N)/8 TDFN-CU/8 UMAX/8 |
| Budgetary Price (See Notes) | 0.83 |
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Technical Docs
| 数据资料 | 4A可吸入/源出电流的12ns、双通道MOSFET驱动器 | Aug 28, 2017 |
参量
Parametric specs for MOSFET Drivers
| No. of Drivers | 2 |
| Logic Polarity | Mixed |
| RON (Ω) (max) | 0.95 |
| RON (Ω) (typ) | 0.5 |
| Configuration | High-Side P Drive Low-Side N Drive |
| IOUT (A) (peak) | 4 |
| Rise/ Fall Time @+25°C (ns) (typ) | 6/6 (1000pF) |
| VSUPPLY (V) | 4 to 14 |
| Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
| Package/Pins | SOIC (N)/8 TDFN-CU/8 UMAX/8 |
| Budgetary Price (See Notes) | 0.83 |
主要特征
- 带有使能控制的双通道驱动器
- +4V至+14V单电源供电
- 4A吸入/源出峰值电流
- 输入可承受+14V高压，不受VDD电压限制
- 12ns超低传输延时
- 1nF负载下，具有6ns典型上升时间和5ns典型下降时间
- 通道之间提供严格的延时匹配
- 为了提供更大驱动电流，两路输出可并行工作
- TTL或具有噪声抑制的HNM逻辑电平输入
- 低输入电容：10pF (典型值)
- 热关断保护
- 提供TDFN、µMAX和SO封装
- -40°C至+125°C工作温度范围
应用/用途
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 功率MOSFET开关
- 电源模块
- 开关模式电源
描述
MAX17600–MAX17605为高速MOSFET驱动器，可吸入/源出4A峰值电流，提供不同的反相输出和同相输出器件，灵活用于MOSFET驱动。器件内部的逻辑电路防止输出状态变化时的穿通现象。逻辑输入端提供高达+14V的尖峰电压保护，与VDD电压无关。器件具有极低的传输延迟时间，并保持两个通道之间的传输延时匹配。器件提供快速切换，结合极短的传输延时(典型值12ns)，使其非常适合高频电路设计。器件采用+4V至+14V单电源供电，典型电流损耗为1mA。MAX17600/MAX17601采用标准的TTL输入逻辑电平，MAX17603/MAX17604/MAX17605则采用具有较高噪声容限(HNM)的类CMOS输入逻辑电平；MAX17600/MAX17603为双通道反相输入驱动器，MAX17601/MAX17604则为双通道同相输入驱动器，MAX17602/MAX17605提供一路同相输入和一路反相输入。为了更好地控制驱动器工作，器件还提供使能引脚(ENA、ENB)。
器件提供8引脚(3mm x 3mm) TDFN、8引脚(3mm x 5mm) µMAX®和8引脚SO封装，工作在-40°C至+125°C温度范围。
Technical Docs
| 数据资料 | 4A可吸入/源出电流的12ns、双通道MOSFET驱动器 | Aug 28, 2017 |
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