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125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器

增强散热型、8引脚SO封装,能够在+70°C环境温度下耗散1.9W功率

产品详情

主要特征

Parametric specs for Full/Half-Bridge MOSFET Drivers
Driver (High Side) Non-Inverting
Driver (Low Side) Non-Inverting
High Side Voltage (V) (typ) 125
VSUPPLY (V) 8.0 to 12.6
ISOURCE / ISINK (A) (peak) 3 / 3
tPD (ns) (typ) 35
Logic Input CMOS
Oper. Temp. (°C) -40 to +125
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数据资料 125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器 Dec 01, 2008

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参量

Parametric specs for Full/Half-Bridge MOSFET Drivers
Driver (High Side) Non-Inverting
Driver (Low Side) Non-Inverting
High Side Voltage (V) (typ) 125
VSUPPLY (V) 8.0 to 12.6
ISOURCE / ISINK (A) (peak) 3 / 3
tPD (ns) (typ) 35
Logic Input CMOS
Oper. Temp. (°C) -40 to +125

主要特征

  • 与HIP2100IB/HIP2101IB引脚兼容(MAX15018A/MAX15019A)
  • VIN高达125V
  • 8V至12.6V VDD输入电压范围
  • 可源出和吸取3A峰值电流
  • 传输延迟为35ns
  • 确保高、低边驱动器之间保持8ns以内的传输延时匹配度
  • 提供同相/同相与同相/反相逻辑输入的组合
  • 最大15V的逻辑输入,与VDD电源电压无关
  • 8pF低输入电容
  • 提供带滞回的CMOS (VDD/2)或TTL逻辑电平输入
  • 采用节省空间的增强散热型8引脚SO-EP封装

应用/用途

  • 半桥、全桥和双开关正激变换器
  • 电机控制
  • 电源模块
  • 同步buck DC-DC转换器
  • 电信电源

描述

MAX15018A/MAX15018B/MAX15019A/MAX15019B是高频、125V半桥、n沟道MOSFET驱动器,在高压应用中驱动高边和低边MOSFET。这些驱动器可以独立控制,输入到输出的传输延时为35ns (典型值),匹配在2ns (典型值)以内。器件在高压下工作,驱动器之间具有极低的传输延时,并保持较好的匹配性;增强散热型封装可以源出或吸取较大电流。这些特性使其非常适合大功率、高频、电信电源转换器应用。输入电压最大值为125V,为电信设备标准的100V输入瞬态电压要求提供了充分的裕量。可靠的片上自举二极管连接在VDD与BST之间,省去了外部分立二极管。

MAX15018A/MAX15019A提供的均为同相驱动器;MAX15018B/MAX15019B提供一路同相高边驱动器和一路反相低边驱动器(请参见完整数据资料中的选型指南部分)。MAX15018_具有CMOS (VDD/2)逻辑输入,MAX15019_具有TTL逻辑输入。驱动器提供具有工业标准8引脚SO引脚排列和配置的增强散热型8引脚SO封装。所有器件均工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。

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MAX15018、MAX15019:典型工作电路 MAX15018、MAX15019:典型工作电路 Zoom icon

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数据资料 125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器 Dec 01, 2008

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