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MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。全部器件均采用Maxim专有的工艺技术，具备集成数字电隔离功能。器件具有输出选项的其他版本，包括栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位(MAX22701)和可调节欠压锁定UVLO (MAX22702)。此外，其他版本采用差分(D版本)或单端(E版本)输入。器件在不同电源域的电路之间传输数字信号。该家族中的所有器件均具有隔离功能，可承受长达60秒的额定3kVRMS电压。
所有器件支持最小脉宽20ns，最大脉宽失真2ns。器件之间传输延迟匹配在2ns (最大值) @ +25°C环境温度，以及5ns (最大值) @ -40°C至+125°C工作温度范围。该特性降低功率管的死区时间，提高总体效率。
MAX22700和MAX22702用于低边驱动器时的最大RDSON为1.25Ω，MAX22701用于低驱动时的RDSON为2.5Ω。所有器件用于高边驱动器时的最大RDSON为4.5Ω。相关的后缀，请参见定购信息。
MAX22700–MAX22702可用于驱动具有不同输出栅极驱动电路和B边电源电压的SiC（碳化硅）或GaN （氮化镓）FET。更多详细信息请参见典型工作电路。
MAX22700–MAX22702家族中的所有器件均采用8引脚、窄体、SOIC封装，爬电距离和间隙为4mm。封装材料的最小相对漏电起痕指数(CTI)仅为600V，使其具有一流的爬电距离指标。所有器件的额定工作环境温度为-40°C至+125°C。
设计方案：选择一个高CMTI门驱动器，它可以缩短SiC开关的静止时间 › 主要特征
- 匹配传输延迟
- 20ns最小脉宽
- 35Ns传输延迟，室温时
- 2ns器件间传输延迟匹配，室温时
- 5ns器件间传输延迟匹配 @ -40°C至+125°C温度范围
- 高CMTI (300kV/μs，典型值)
- 可靠电隔离
- 可承受长达60s 的3kVRMS (VISO)
- 连续承受848VRMS (VIOWM)
- GNDA和VSSB之间可承受±5kV的浪涌，1.2/50μs波形
- 高精度UVLO
- 多种选项，支持较宽应用范围
- 3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
- 2种输入配置：带使能的单端(E版本)或差分(D)版本
应用/用途
- 用于逆变器的隔离栅极驱动器
- 电机驱动
- UPS和PV逆变器
| # Channels | 1 |
| Inputs | Single-Ended |
| Peak Output Current (A) (typ) | 3 |
| Insulation Rating | 3000VRMS |
| CMTI (kV/µs) (typ) | 300 |
| UVLO Threshold (V) | 13 |
| Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
| Package/Pins | SOIC (N)/8 |
| Budgetary Price (See Notes) | $1.78 @1k |
技术文档
| 数据资料 | 超高CMTI隔离栅极驱动器 | Feb 16, 2021 |
单击下面的标题以查看详情页面
描述
MAX22700–MAX22702评估套件(EV kit)提供经过验证的设计，用于评估MAX22700– MAX22702单通道隔离栅极驱动器家族，器件具有300kV/µs (典型值)的极高共模瞬态抗扰性(CMTI)。评估套件中包括两路完全相同的通道(器件)，用于演示极低的器件间传输延迟匹配：-40°C至+125°C工作温度范围内为2ns (最大值)。
提供两种类型的评估套件，MAX22701EVKIT#和MAX22702EVKIT#，以支持具有不同B边选项的变体，栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位引脚(MAX22701)和可调节欠压锁定引脚(MAX22702)。此外，两款评估套件支持采用不同A边选项的变体，差分输入(D版本)或具有使能引脚的单端输入(E)版本。两款评估套件均采用窄体8引脚SOIC封装类型（请参考表1的评估板选项）。
MAX22701EVKIT#已完全装配并经过测试， MAX22701EASA+完成 (见图1)。该电路板也支持MAX22701DASA+（要求用户更换U1和U2）。
评估套件应根据不同电源域的要求采用多种独立隔离电源供电。MAX22700–MAX22702家族的A边的标称供电电压范围为3V至5.5V；B边的标称供电电压范围为13V至36V或6V至36V（取决于目标器件）。为了评估器件两侧或两片器件之间的无任何隔离的器件电气参数，不同电源域可共用地。
查看详情特征
- 两款评估套件支持3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
- 2种输入配置：带使能的单端或差分输入
- 2路完全相同的通道允许测量传输延迟匹配
- 2路校准通道，支持高精度传输延迟测量
- SMA连接器和端子，便于连接外部设备
- 3V至5.5V (A边)和13V至36V (B边)较宽电源电压范围
- 高达3kVRMS隔离耐压，可持续60s
- -40°C至+125°C温度范围
- 经过验证的PCB布局
描述
MAX22700–MAX22702评估套件(EV kit)提供经过验证的设计，用于评估MAX22700– MAX22702单通道隔离栅极驱动器家族，器件具有300kV/µs (典型值)的极高共模瞬态抗扰性(CMTI)。评估套件中包括两路完全相同的通道(器件)，用于演示极低的器件间传输延迟匹配：-40°C至+125°C工作温度范围内为2ns (最大值)。
提供两种类型的评估套件，MAX22701EVKIT#和MAX22702EVKIT#，以支持具有不同B边选项的变体，栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位引脚(MAX22701)和可调节欠压锁定引脚(MAX22702)。此外，两款评估套件支持采用不同A边选项的变体，差分输入(D版本)或具有使能引脚的单端输入(E)版本。两款评估套件均采用窄体8引脚SOIC封装类型（请参考表1的评估板选项）。
MAX22701EVKIT#已完全装配并经过测试， MAX22701EASA+完成 (见图1)。该电路板也支持MAX22701DASA+（要求用户更换U1和U2）。
评估套件应根据不同电源域的要求采用多种独立隔离电源供电。MAX22700–MAX22702家族的A边的标称供电电压范围为3V至5.5V；B边的标称供电电压范围为13V至36V或6V至36V（取决于目标器件）。为了评估器件两侧或两片器件之间的无任何隔离的器件电气参数，不同电源域可共用地。
查看详情特征
- 两款评估套件支持3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
- 2种输入配置：带使能的单端或差分输入
- 2路完全相同的通道允许测量传输延迟匹配
- 2路校准通道，支持高精度传输延迟测量
- SMA连接器和端子，便于连接外部设备
- 3V至5.5V (A边)和13V至36V (B边)较宽电源电压范围
- 高达3kVRMS隔离耐压，可持续60s
- -40°C至+125°C温度范围
- 经过验证的PCB布局
参量
| # Channels | 1 |
| Inputs | Single-Ended |
| Peak Output Current (A) (typ) | 3 |
| Insulation Rating | 3000VRMS |
| CMTI (kV/µs) (typ) | 300 |
| UVLO Threshold (V) | 13 |
| Oper. Temp. (°C) | -40 to +125 |
| Package/Pins | SOIC (N)/8 |
| Budgetary Price (See Notes) | $1.78 @1k |
主要特征
- 匹配传输延迟
- 20ns最小脉宽
- 35Ns传输延迟，室温时
- 2ns器件间传输延迟匹配，室温时
- 5ns器件间传输延迟匹配 @ -40°C至+125°C温度范围
- 高CMTI (300kV/μs，典型值)
- 可靠电隔离
- 可承受长达60s 的3kVRMS (VISO)
- 连续承受848VRMS (VIOWM)
- GNDA和VSSB之间可承受±5kV的浪涌，1.2/50μs波形
- 高精度UVLO
- 多种选项，支持较宽应用范围
- 3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
- 2种输入配置：带使能的单端(E版本)或差分(D)版本
应用/用途
- 用于逆变器的隔离栅极驱动器
- 电机驱动
- UPS和PV逆变器
描述
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。全部器件均采用Maxim专有的工艺技术，具备集成数字电隔离功能。器件具有输出选项的其他版本，包括栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位(MAX22701)和可调节欠压锁定UVLO (MAX22702)。此外，其他版本采用差分(D版本)或单端(E版本)输入。器件在不同电源域的电路之间传输数字信号。该家族中的所有器件均具有隔离功能，可承受长达60秒的额定3kVRMS电压。
所有器件支持最小脉宽20ns，最大脉宽失真2ns。器件之间传输延迟匹配在2ns (最大值) @ +25°C环境温度，以及5ns (最大值) @ -40°C至+125°C工作温度范围。该特性降低功率管的死区时间，提高总体效率。
MAX22700和MAX22702用于低边驱动器时的最大RDSON为1.25Ω，MAX22701用于低驱动时的RDSON为2.5Ω。所有器件用于高边驱动器时的最大RDSON为4.5Ω。相关的后缀，请参见定购信息。
MAX22700–MAX22702可用于驱动具有不同输出栅极驱动电路和B边电源电压的SiC（碳化硅）或GaN （氮化镓）FET。更多详细信息请参见典型工作电路。
MAX22700–MAX22702家族中的所有器件均采用8引脚、窄体、SOIC封装，爬电距离和间隙为4mm。封装材料的最小相对漏电起痕指数(CTI)仅为600V，使其具有一流的爬电距离指标。所有器件的额定工作环境温度为-40°C至+125°C。
设计方案：选择一个高CMTI门驱动器，它可以缩短SiC开关的静止时间 › 技术文档
| 数据资料 | 超高CMTI隔离栅极驱动器 | Feb 16, 2021 |
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