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超高CMTI隔离栅极驱动器

具有高CMTI的集成隔离,提高SiC栅极驱动器的可靠性

产品详情

主要特征

应用/用途

Parametric specs for Isolated Gate Drivers
# Channels 1
Inputs Single-Ended
Peak Output Current (A) (typ) 3
Insulation Rating 3000VRMS
CMTI (kV/µs) (typ) 300
UVLO Threshold (V) 13
Oper. Temp. (°C) -40 to +125
Package/Pins SOIC (N)/8
Budgetary
Price (See Notes)
1.78
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技术文档

数据资料 超高CMTI隔离栅极驱动器 Feb 16, 2021

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参量

Parametric specs for Isolated Gate Drivers
# Channels 1
Inputs Single-Ended
Peak Output Current (A) (typ) 3
Insulation Rating 3000VRMS
CMTI (kV/µs) (typ) 300
UVLO Threshold (V) 13
Oper. Temp. (°C) -40 to +125
Package/Pins SOIC (N)/8
Budgetary
Price (See Notes)
1.78

主要特征

  • 匹配传输延迟
    • 20ns最小脉宽
    • 35Ns传输延迟,室温时
    • 2ns器件间传输延迟匹配,室温时
    • 5ns器件间传输延迟匹配 @ -40°C至+125°C温度范围
  • 高CMTI (300kV/μs,典型值)
  • 可靠电隔离
    • 可承受长达60s 的3kVRMS (VISO)
    • 连续承受848VRMS (VIOWM)
    • GNDA和VSSB之间可承受±5kV的浪涌,1.2/50μs波形
    • 高精度UVLO
    • 多种选项,支持较宽应用范围
    • 3种输出选项:GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
    • 2种输入配置:带使能的单端(E版本)或差分(D)版本

应用/用途

  • 用于逆变器的隔离栅极驱动器
  • 电机驱动
  • UPS和PV逆变器

描述

MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。全部器件均采用Maxim专有的工艺技术,具备集成数字电隔离功能。器件具有输出选项的其他版本,包括栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位(MAX22701)和可调节欠压锁定UVLO (MAX22702)。此外,其他版本采用差分(D版本)或单端(E版本)输入。器件在不同电源域的电路之间传输数字信号。该家族中的所有器件均具有隔离功能,可承受长达60秒的额定3kVRMS电压。

所有器件支持最小脉宽20ns,最大脉宽失真2ns。器件之间传输延迟匹配在2ns (最大值) @ +25°C环境温度,以及5ns (最大值) @ -40°C至+125°C工作温度范围。该特性降低功率管的死区时间,提高总体效率。

MAX22700和MAX22702用于低边驱动器时的最大RDSON为1.25Ω,MAX22701用于低驱动时的RDSON为2.5Ω。所有器件用于高边驱动器时的最大RDSON为4.5Ω。相关的后缀,请参见定购信息。

MAX22700–MAX22702可用于驱动具有不同输出栅极驱动电路和B边电源电压的SiC(碳化硅)或GaN (氮化镓)FET。更多详细信息请参见典型工作电路。

MAX22700–MAX22702家族中的所有器件均采用8引脚、窄体、SOIC封装,爬电距离和间隙为4mm。封装材料的最小相对漏电起痕指数(CTI)仅为600V,使其具有一流的爬电距离指标。所有器件的额定工作环境温度为-40°C至+125°C。

设计方案:选择一个高CMTI门驱动器,它可以缩短SiC开关的静止时间 ›

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MAX22700D, MAX22700E, MAX22701D, MAX22701E, MAX22702D, MAX22702E: Functional Diagrams MAX22700D, MAX22700E, MAX22701D, MAX22701E, MAX22702D, MAX22702E: Functional Diagrams Zoom icon

技术文档

数据资料 超高CMTI隔离栅极驱动器 Feb 16, 2021

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