MAX22701E 超高CMTI隔离栅极驱动器

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MAX22701E

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超高CMTI隔离栅极驱动器

具有高CMTI的集成隔离，提高SiC栅极驱动器的可靠性

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产品详情

General Description

The MAX22700–MAX22702 are a family of single-channel isolated gate drivers with ultra-high common-mode transient immunity (CMTI) of 300kV/μs (typ). The devices are designed to drive silicon-carbide (SiC) or gallium-nitride (GaN) transistors in various inverter or motor control applications with different output gate-drive circuitry and B-side supply voltages. The devices feature variants with output options for gate driver common pin GNDB (MAX22700), Miller Clamp (MAX22701), and adjustable undervoltage-lockout UVLO (MAX22702). In addition, variants are offered as differential (D versions) or single-ended (E versions) inputs. All devices have integrated digital galvanic isolation using Maxim’s proprietary process technology. The MAX22700–MAX22702 feature isolation for a withstand voltage rating of 3kV_RMS(narrow SOIC package) or 5kV_RMS (wide SOIC package) for 60 seconds.

All devices support a minimum pulse width of 20ns with a maximum pulse width distortion of 2ns. The part-to-part propagation delay is matched within 2ns (max) at +25°C ambient temperature, and 5ns (max) over the -40°C to +125°C operating temperature range. This feature reduces the power transistor’s dead time, thus improving overall efficiency.

The MAX22700 and the MAX22702 have a maximum R_DSON of 1.25Ω for the low-side driver, and the MAX22701 has an R_DSON of 2.5Ω for the low-side driver. All devices have a maximum R_DSON of 4.5Ω for the high-side driver. See the Ordering Information for suffixes associated with each option.

The MAX22700–MAX22702 are available either in an 8-pin wide-body SOIC package with 8mm creepage and clearance, or in a smaller 8-pin narrow-body SOIC package with 4mm of creepage and clearance. The narrow SOIC package material has a minimum comparative tracking index (CTI) of 600V, which gives it a group I rating in creepage tables, while the wide SOIC package material has a minimum CTI of 400V, which gives it a group II rating in creepage tables. All devices are rated for operation at ambient temperatures of -40°C to +125°C.

Functional Diagrams

MAX22701

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MAX22700 and MAX22702

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Benefits and Features

Matching Propagation Delay
- 20ns Minimum Pulse Width
- 35ns Propagation Delay at Room Temperature
- 2ns Part-to-Part Propagation Delay Matching at Room Temperature
- 5ns Part-to-Part Propagation Delay Matching over -40°C to +125°C Temperature Range
High CMTI (300kV/μs, typ)
Robust Galvanic Isolation
- Withstands 3kV_RMS (Narrow SOIC) or 5kV_RMS (Wide SOIC) for 60s (V_ISO)
- Continuously Withstands 600V_RMS (Narrow SOIC) or 848V_RMS (Wide SOIC) (V_IOWM)
- Withstands ±5kV Surge Between GNDA and V_SSB with 1.2/50μs Waveform
Precision UVLO
Options to Support a Broad Range of Applications
- 3 Output Options: GNDB, Miller Clamp, or Adjustable UVLO
- 2 Input Configurations: Single-Ended with Enable (E versions) or Differential (D versions)

Applications

Isolated Gate Driver for Inverters
Motor Drives
UPS and PV Inverters

19-100581; Rev 7; 10/20

请参见参数规范 Isolated Gate Drivers

主要特征

应用/用途

请参见参数规范 Isolated Gate Drivers

Parametric specs for Isolated Gate Drivers

# Channels	1
Inputs	Single-Ended
Peak Output Current (A) (typ)	3
Insulation Rating	3000VRMS
CMTI (kV/µs) (typ)	300
UVLO Threshold (V)	13
Oper. Temp. (°C)	-40 to +125
Package/Pins	SOIC (N)/8
Budgetary Price (See Notes)	1.78

比较产品库中的器件

请参见参数规范 Isolated Gate Drivers

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技术文档

数据资料

超高CMTI隔离栅极驱动器

Feb 16, 2021

设计与质量

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硬件开发

评估板

MAX22701EVKIT

数据资料

$46.20

描述

MAX22700–MAX22702评估套件(EV kit)提供经过验证的设计，用于评估MAX22700– MAX22702单通道隔离栅极驱动器家族，器件具有300kV/µs (典型值)的极高共模瞬态抗扰性(CMTI)。评估套件中包括两路完全相同的通道(器件)，用于演示极低的器件间传输延迟匹配：-40°C至+125°C工作温度范围内为2ns (最大值)。

提供两种类型的评估套件，MAX22701EVKIT#和MAX22702EVKIT#，以支持具有不同B边选项的变体，栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位引脚(MAX22701)和可调节欠压锁定引脚(MAX22702)。此外，两款评估套件支持采用不同A边选项的变体，差分输入(D版本)或具有使能引脚的单端输入(E)版本。两款评估套件均采用窄体8引脚SOIC封装类型（请参考表1的评估板选项）。

MAX22701EVKIT#已完全装配并经过测试， MAX22701EASA+完成 (见图1)。该电路板也支持MAX22701DASA+（要求用户更换U1和U2）。

评估套件应根据不同电源域的要求采用多种独立隔离电源供电。MAX22700–MAX22702家族的A边的标称供电电压范围为3V至5.5V；B边的标称供电电压范围为13V至36V或6V至36V（取决于目标器件）。为了评估器件两侧或两片器件之间的无任何隔离的器件电气参数，不同电源域可共用地。

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特征

两款评估套件支持3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
2种输入配置：带使能的单端或差分输入
2路完全相同的通道允许测量传输延迟匹配
2路校准通道，支持高精度传输延迟测量
SMA连接器和端子，便于连接外部设备
3V至5.5V (A边)和13V至36V (B边)较宽电源电压范围
高达3kV_RMS隔离耐压，可持续60s
-40°C至+125°C温度范围
经过验证的PCB布局

评估板

MAX22702EVKIT

数据资料

$45.50

描述

MAX22701EVKIT#已完全装配并经过测试， MAX22701EASA+完成 (见图1)。该电路板也支持MAX22701DASA+（要求用户更换U1和U2）。

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特征

两款评估套件支持3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
2种输入配置：带使能的单端或差分输入
2路完全相同的通道允许测量传输延迟匹配
2路校准通道，支持高精度传输延迟测量
SMA连接器和端子，便于连接外部设备
3V至5.5V (A边)和13V至36V (B边)较宽电源电压范围
高达3kV_RMS隔离耐压，可持续60s
-40°C至+125°C温度范围
经过验证的PCB布局

其他资源

Design Solution: Choose a High CMTI Gate Driver That Cuts Your SiC Switch Dead-Time ›

评估板

MAX22701EVKIT

数据资料

$46.20

描述

MAX22701EVKIT#已完全装配并经过测试， MAX22701EASA+完成 (见图1)。该电路板也支持MAX22701DASA+（要求用户更换U1和U2）。

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特征

两款评估套件支持3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
2种输入配置：带使能的单端或差分输入
2路完全相同的通道允许测量传输延迟匹配
2路校准通道，支持高精度传输延迟测量
SMA连接器和端子，便于连接外部设备
3V至5.5V (A边)和13V至36V (B边)较宽电源电压范围
高达3kV_RMS隔离耐压，可持续60s
-40°C至+125°C温度范围
经过验证的PCB布局

评估板

MAX22702EVKIT

数据资料

$45.50

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MAX22701EVKIT#已完全装配并经过测试， MAX22701EASA+完成 (见图1)。该电路板也支持MAX22701DASA+（要求用户更换U1和U2）。

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特征

两款评估套件支持3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
2种输入配置：带使能的单端或差分输入
2路完全相同的通道允许测量传输延迟匹配
2路校准通道，支持高精度传输延迟测量
SMA连接器和端子，便于连接外部设备
3V至5.5V (A边)和13V至36V (B边)较宽电源电压范围
高达3kV_RMS隔离耐压，可持续60s
-40°C至+125°C温度范围
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参量

Parametric specs for Isolated Gate Drivers

# Channels	1
Inputs	Single-Ended
Peak Output Current (A) (typ)	3
Insulation Rating	3000VRMS
CMTI (kV/µs) (typ)	300
UVLO Threshold (V)	13
Oper. Temp. (°C)	-40 to +125
Package/Pins	SOIC (N)/8
Budgetary Price (See Notes)	1.78

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主要特征

匹配传输延迟
- 20ns最小脉宽
- 35Ns传输延迟，室温时
- 2ns器件间传输延迟匹配，室温时
- 5ns器件间传输延迟匹配 @ -40°C至+125°C温度范围
高CMTI (300kV/μs，典型值)
可靠电隔离
- 可承受长达60s 的3kV_RMS (V_ISO)
- 连续承受848V_RMS (V_IOWM)
- GNDA和V_SSB之间可承受±5kV的浪涌，1.2/50μs波形
- 高精度UVLO
- 多种选项，支持较宽应用范围
- 3种输出选项：GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
- 2种输入配置：带使能的单端(E版本)或差分(D)版本

应用/用途

用于逆变器的隔离栅极驱动器
电机驱动
UPS和PV逆变器

描述

MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。全部器件均采用Maxim专有的工艺技术，具备集成数字电隔离功能。器件具有输出选项的其他版本，包括栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位(MAX22701)和可调节欠压锁定UVLO (MAX22702)。此外，其他版本采用差分(D版本)或单端(E版本)输入。器件在不同电源域的电路之间传输数字信号。该家族中的所有器件均具有隔离功能，可承受长达60秒的额定3kV_RMS电压。

所有器件支持最小脉宽20ns，最大脉宽失真2ns。器件之间传输延迟匹配在2ns (最大值) @ +25°C环境温度，以及5ns (最大值) @ -40°C至+125°C工作温度范围。该特性降低功率管的死区时间，提高总体效率。

MAX22700和MAX22702用于低边驱动器时的最大R_DSON为1.25Ω，MAX22701用于低驱动时的RDSON为2.5Ω。所有器件用于高边驱动器时的最大RDSON为4.5Ω。相关的后缀，请参见定购信息。

MAX22700–MAX22702可用于驱动具有不同输出栅极驱动电路和B边电源电压的SiC（碳化硅）或GaN （氮化镓）FET。更多详细信息请参见典型工作电路。

MAX22700–MAX22702家族中的所有器件均采用8引脚、窄体、SOIC封装，爬电距离和间隙为4mm。封装材料的最小相对漏电起痕指数(CTI)仅为600V，使其具有一流的爬电距离指标。所有器件的额定工作环境温度为-40°C至+125°C。

设计方案：选择一个高CMTI门驱动器，它可以缩短SiC开关的静止时间 ›

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MAX22700D, MAX22700E, MAX22701D, MAX22701E, MAX22702D, MAX22702E: Functional Diagrams

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