DS28E80

耐γ辐射1-Wire存储器

低成本鉴定或校准方案,适用于单触点操作的医用传感器及其附件


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说明

DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器,分成8字节大小的存储块,每个存储块可具有写保护,每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码,由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议,在多器件的1-Wire网络中,64位识别码作为节点地址。

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DS28E80: Typical Operating Circuit DS28E80: Typical Operating Circuit 放大+

关键特性

  • 高耐γ辐射能力,允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
    • 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
    • 可重编程248字节用户存储器
  • 较小的存储块大小,用户存储器编程较灵活
    • 存储器分为8字节存储块
    • 每个存储块可写8次
    • 每个存储块均提供用户可编程写保护
  • 高级1-Wire协议,将接口减小为单触点
  • 紧凑的封装和单IO接口,减小电路板空间,增强可靠性
    • 唯一的工厂编程64位识别码
    • 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
    • 工作范围:3.3V ±10%,-40°C至+ 85°C,读操作;0°C至+50°C,写操作
    • IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
    • 6引脚TDFN封装

应用

  • 鉴定和校准医疗工具/附件
  • 医用消费品鉴定
Part NumberApplicationsMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS28E80 
Gamma Sterilization
Medical Consumable ID
EEPROM2K x 11-Wire2.973.63
TDFN HYBRID/6
TSOC/6
$0.83 @1k
查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
Pricing Notes:
价格仅供参考,用于同类产品的比较。所提供报价为美元,需要依汇率折合成人民币。该价格将因当地关税、税率和汇率而异。有关特定订购量和指定版本的报价和供货问题,请参考:价格与供货网站或与指定代理商联系。


DS28E80EVKIT: DS28E80评估系统

技术资料

应用笔记 6075 New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables

质量和环境数据

产品可靠性报告: DS28E80.pdf 
无铅封装的锡(Sn)晶须报告

CAD Symbols and Footprints

  • DS28E80Q+T
  • DS28E80Q+U
  • 型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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    类型 编号 标题
    评估板8696DS28E80EVKIT DS28E80评估系统