DS2045L

3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM


点击查看特定型号的库存状况。

说明

DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模块的VCC上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,可以修改SRAM内容。VCC断电或超出容限范围时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示,复位输出可用于CPU监控功能。
DS2045L:典型工作电路 DS2045L:典型工作电路 放大+

关键特性

  • 单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • VCC超出容限范围后,对SRAM进行无条件的写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控电路,检查电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用于CPU监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

技术资料

应用笔记 3693 Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块

质量和环境数据

产品可靠性报告: DS2045L.pdf 
无铅封装的锡(Sn)晶须报告
型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

质量管理体系 >
环境管理体系 >

 
Status:
Package:
Temperature:

相关资料

类型 编号 PDF 标题
应用笔记 3693 Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块