DS1270W

3.3V、16Mb非易失SRAM

3.3V非易失SRAM,提供16Mb存储容量


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说明

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1270W:引脚分配 DS1270W:引脚分配 放大+

关键特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

应用

  • 自动测试设备(ATE)
  • 水电气表自动抄表
  • 楼宇能源管理(HVAC)
  • 电缆调制解调器
  • 计算机:台式机、工作站和服务器
  • 数字电视(接收机,机顶盒)
  • 调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
  • 网络集线器、交换机和路由器
  • 笔记本电脑
  • 示波器
  • 打印机与传真机
  • 可编程逻辑控制器
  • 存储系统
  • 测试与测量设备

CAD Symbols and Footprints

  • DS1270W-100#
  • DS1270W-100IND#
  • 型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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