DS1265W

3.3V、8Mb非易失SRAM


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说明

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1265W:引脚分配 DS1265W:引脚分配 放大+

关键特性

  • 在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

CAD Symbols and Footprints

  • DS1265W-100+
  • DS1265W-100IND+
  • DS1265W-150+
  • 型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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