DS1258Y

128k x 16非易失SRAM


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说明

DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 独立的向上/向下字节片选输入
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10%电源工作范围(DS1258Y)
  • 可选择±5%电源工作范围(DS1258AB)
  • 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C,指定为IND

质量和环境数据

产品可靠性报告: DS1258Y.pdf 
无铅封装的锡(Sn)晶须报告

其它资源

UL认证
型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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