DS1250Y

4096k非易失SRAM


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说明

DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1250AB、DS1250Y:引脚分配 DS1250AB、DS1250Y:引脚分配 放大+

关键特性

  • 无外部电源时最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1250Y)
  • 可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
  • 可选的工业级温度范围:-40°C至+85°C,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1250AB NV SRAM512K x 8Parallel4.755.25
MOD/32
PWRCP/34
$57.07 @1k
DS1250Y 4.55.5
LPM/34
MOD/32
PWRCP/34
$58.73 @1k
查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
Pricing Notes:
价格仅供参考,用于同类产品的比较。所提供报价为美元,需要依汇率折合成人民币。该价格将因当地关税、税率和汇率而异。有关特定订购量和指定版本的报价和供货问题,请参考:价格与供货网站或与指定代理商联系。

CAD Symbols and Footprints

  • DS1250Y-100+
  • DS1250Y-100IND+
  • DS1250Y-70+
  • DS1250Y-70IND+
  • DS1250YP-70+
  • DS1250YP-70IND+
  • 型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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