DS1249W

3.3V、2048kb非易失SRAM


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说明

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1249W:引脚分配 DS1249W:引脚分配 放大+

关键特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • 应用

    • 自动测试设备(ATE)
    • 水电气表自动抄表
    • 楼宇能源管理(HVAC)
    • 电缆调制解调器
    • 计算机:台式机、工作站和服务器
    • 数字电视(接收机,机顶盒)
    • 调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
    • 网络集线器、交换机和路由器
    • 笔记本电脑
    • 示波器
    • 打印机与传真机
    • 可编程逻辑控制器
    • 存储系统
    • 测试与测量设备
    Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
    (V)
    VSUPPLY
    (V)
    Package/PinsBudgetary
    Price
    minmaxSee Notes
    DS1249W NV SRAM256K x 8Parallel33.6
    MOD/32
    $30.65 @1k
    查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
    Pricing Notes:
    价格仅供参考,用于同类产品的比较。所提供报价为美元,需要依汇率折合成人民币。该价格将因当地关税、税率和汇率而异。有关特定订购量和指定版本的报价和供货问题,请参考:价格与供货网站或与指定代理商联系。

    CAD Symbols and Footprints

  • DS1249W-100#
  • DS1249W-100IND#
  • 型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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    环境管理体系 >

     
    Status:
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    Temperature:

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